(DE) Die Erfindung betrifft eine Prozessvorrichtung zum Prozessieren von, insbesondere gestapelten, Prozessgütern, insbesondere in Form flächiger Substrate für die Herstellung von Dünnschichten, insbesondere leitenden, halbleitenden oder isolierenden Dünnschichten, enthaltend eine evakuierbare Prozesskammer zur Aufnahme eines Prozessgases, umfassend mindestens eine Temperiereinrichtung, insbesondere zumindest abschnittsweise in und/oder in thermischer Wirkverbindung mit mindestens einer Wand, insbesondere sämtlicher Wände der Prozesskammer, eingerichtet und geeignet, um zumindest einen Teilbereich der Wand, insbesondere im Wesentlichen die gesamte Prozesskammerwand, der Prozesskammer auf einer vorgegebenen Temperatur zu halten, insbesondere bei einer ersten Temperatur während zumindest eines Teils des Prozessierens der gestapelten Prozessgüter zu halten, die nicht unterhalb der Raumtemperatur als der zweiten Temperatur liegt und die unterhalb einer dritten, oberhalb der Raumtemperatur liegenden Temperatur liegt, welche in der Prozesskammer erzeugbar ist; mindestens eine Gasfordereinrichtung zum Erzeugen eines Gasströmungskreislaufes, insbesondere einer erzwungenen Konvektion, in der Prozesskammer; mindestens eine in dem von der Gasfordereinrichtung erzeugten Gasströmungskreislauf angeordneten oder anordbaren Heizeinrichtung zum Aufheizen des Gases; mindestens eine Gasleiteinrichtung, die zur Aufnahme des Prozessgutstapels ausgebildet und in der Prozesskammer derart angeordnet oder anordbar ist, dass mindestens ein Teil des erzeugten bzw. erzeugbaren Gasströmungskreislaufes durch die Gasleiteinrichtung hindurch verläuft; gegebenenfalls mindestens eine, insbesondere mit einer ersten gas- und/oder vakuumdichten Verschließeinrichtung, verschließbare Beladungsöffnung, durch die der Prozessgutstapel in die Gasleiteinrichtung einbringbar ist; und gegebenenfalls mindestens eine Gaseinlasseinrichtung zum Einleiten des Prozessgases in den Gasströmungskreislauf. Ferner betrifft die Erfindung eine Prozessanlage zum Prozessieren von gestapelten Prozessgütern, umfassend mindestens eine erfindungsgemäße Prozessvorrichtung, mindestens eine Abkühleinrichtung und/oder mindestens Einschleuseinrichtung. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Prozessieren von insbesondere gestapelten und/oder flächigen, Prozessgütern, insbesondere zur Herstellung von Dünnschichten, insbesondere leitenden, halbleitenden oder isolierenden Dünnschichten, unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Prozessvorrichtung oder einer erfindungsgemäßen Prozessanlage, wobei mittels der Temperiereinrichtung zumindest ein Teilbereich der Wand der Prozesskammer, insbesondere während zumindest eines Teils des Prozessierens der gestapelten Prozessgüter, auf einer vorgegebenen Temperatur gehalten wird, insbesondere bei einer ersten Temperatur gehalten wird, die nicht unterhalb der Raumtemperatur als der zweiten Temperatur liegt und die unterhalb einer dritten, oberhalb der Raumtemperatur liegenden Temperatur liegt, welche in der Prozesskammer während des Prozessierens wenigstens phasenweise erzeugt wird.
(EN) The invention relates to a processing device for the processing of in particular stacked proceed goods, particularly in the form of planar substrates for the production of thin layers, particularly of conducting, semiconducting, or insulating thin layers, comprising an evacuatable processing chamber for receiving a process gas, comprising at least one tempering device, particularly at least in sections in and/or in thermal operative connection with at least one wall, particularly all walls of the processing chamber, said chamber being equipped and suited to keep at least a partial region of the wall, particularly substantially the entire process chamber wall, of the process chamber at a predetermined temperature, particularly to keep the same at a first temperature during at least part of the processing of the stacked processed goods, said temperature not being below room temperature as the second temperature, and being below a third temperature which can be generated in the processing chamber and is above room temperature; at least one gas conveying device for creating a gas flow cycle in the process chamber, particularly a forced convection; at least one heating device for heating the gas, said heating device disposed or able to be disposed in the gas flow cycle created by the gas conveying device; at least one gas guiding device, which is configured for receiving the processed goods stack, and which is disposed, or can be disposed in the process chamber such that at least part of the gas flow cycle that is created, or can be created extends through the gas guiding device; optionally at least one loading opening that can be locked with a first gas and/or vacuum tight locking device, through said loading opening the processed goods stack can be inserted into the gas guiding device; and optionally at least one gas inlet device for feeding the process gas into the gas flow cycle. The invention further relates to a process system for processing stacked processed goods, comprising at least one process device according to the invention, at least one cooling device, and/or at least one channeling device. Finally, the invention also relates to a method for processing in particularly stacked and/or planar processed goods, particularly for the production of thin layers, particularly conducting, semiconducting, or insulating thin layers, utilizing a process device according to the invention, or a process system according to the invention, wherein at least a partial region of the wall of the process chamber, particularly at least during part of the processing of the stacked processed goods, is held at a predetermined temperature, particularly at a first temperature, which is not below room temperature as the second temperature, and which is below a third temperature above room temperature, which is created in the process chamber during the processing, at least in phases.
(FR) L'invention porte sur un équipement pour le traitement d'objets destinés à être traités, notamment empilés, en particulier sous forme de substrats plans pour la fabrication de couches minces, en particulier de couches minces conductrices, semi-conductrices ou isolantes, contenant une chambre de traitement dans laquelle on peut faire le vide et destinée à recevoir un gaz de traitement, comprenant au moins un dispositif de mise à la température, en particulier au moins par segments en relation de coopération et/ou en relation de coopération thermique avec au moins une paroi, en particulier l'ensemble des parois de la chambre de traitement, agencé et adapté de façon à maintenir au moins une zone partielle de la paroi de la chambre de traitement, en particulier pour l'essentiel la totalité de la paroi de la chambre de traitement, à une température prédéfinie, en particulier à une première température pendant au moins une partie du traitement des objets empilés à traiter, qui n'est pas inférieure à la température ambiante considérée comme la deuxième température, et qui est inférieure à une troisième température, supérieure à la température ambiante, qu'il est possible de produire dans la chambre de traitement; au moins un dispositif de transport de gaz, destiné à transporter un circuit d'écoulement gazeux, en particulier pour une convexion forcée, dans la chambre de traitement; au moins un dispositif de chauffage, destiné à chauffer le gaz, disposé ou pouvant être disposé dans le circuit d'écoulement gazeux produit dans le dispositif de transport de gaz; au moins un dispositif d'alimentation en gaz, qui est configuré pour recevoir l'empilement d'objets à traiter, et est disposé ou peut être disposé dans la chambre de traitement de telle sorte qu'au moins une partie du circuit d'écoulement gazeux, produit ou pouvant être produit, traverse le dispositif d'alimentation en gaz; le cas échéant au moins une ouverture de charge, pouvant être fermée en particulier par un premier dispositif de fermeture étanche aux gaz et/ou au vide, ouverture par laquelle l'empilement d'objets à traiter peut être introduit dans le dispositif d'alimentation en gaz; et le cas échéant au moins un dispositif d'entrée de gaz, destiné à introduire le gaz de traitement dans le circuit d'écoulement gazeux. L'invention porte en outre sur une installation de traitement, destinée au traitement d'objets empilés destinés à être traités, comprenant au moins un équipement de traitement selon l'invention, au moins un dispositif de refroidissement et/ou au moins un dispositif d'injection. Enfin, l'invention porte sur un procédé de traitement d'objets à traiter, en particulier empilés et/ou plans, en particulier pour la fabrication de couches minces, en particulier de couches minces conductrices, semi-conductrices ou isolantes, par utilisation d'un équipement de traitement selon l'invention ou d'une installation de traitement selon l'invention, au moins une partie de la paroi de chambre de traitement étant, à l'aide du dispositif de mise en température, maintenue pendant au moins une partie du traitement des objets empilés à traiter, à une température prédéfinie en particulier à une première température, qui n'est pas inférieure à la température ambiante considérée comme la deuxième température, et qui est inférieure à une troisième température, supérieure à la température ambiante, laquelle est produite au moins par phases dans la chambre de traitement pendant le traitement.
