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1. (WO2009153048) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLSTRUKTUR AUF EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERSUBSTRATES
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/153048 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2009/004424
Veröffentlichungsdatum: 23.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 19.06.2009
IPC:
C09D 11/00 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
D
Überzugsmittel, z.B. Anstrichstoffe, Firnisse oder Lacke; Spachtelmassen; Chemische Anstrich- oder Tinten-Entferner; Tinten; Korrekturflüssigkeiten; Holzbeizen; Pasten oder Feststoffe zum Färben oder Drucken; Verwendung von Materialien zu diesem Zweck
11
Tinten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3205
Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten
321
Nachbehandlung
3213
Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
MINGIRULLI, Nicola [DE/DE]; DE (UsOnly)
BIRO, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHMIGA, Christian [DE/DE]; DE (UsOnly)
SPECHT, Jan [DE/DE]; DE (UsOnly)
STÜWE, David [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MINGIRULLI, Nicola; DE
BIRO, Daniel; DE
SCHMIGA, Christian; DE
SPECHT, Jan; DE
STÜWE, David; DE
Vertreter:
DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstraße 16 76133 Karlsruhe, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 029 107.220.06.2008DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLSTRUKTUR AUF EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERSUBSTRATES
(EN) METHOD FOR PRODUCING A METAL STRUCTURE ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE MÉTALLIQUE SUR UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates, folgende Schritte umfassend: A Aufbringen einer Metallschicht, B Aufbringen einer Strukturierungsschicht und C Entfernen der Strukturierungsschicht, wobei entweder in einem Maskierungsverfahren Schritt B nach Schritt A und Schritt C nach Schritt B ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht die Metallschicht zumindest teilweise bedeckt und nach Ausführung von Schritt B die Metallschicht an den nicht von der Strukturierungsschicht bedeckten Bereichen entfernt wird, bevor Schritt C ausgeführt wird oder in einem Lift-Off-Verfahren Schritt A nach Schritt B und Schritt C nach Schritt A ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht im Wesentlichen von der Metallschicht bedeckt ist und zumindest in den Bereichen, in denen die Metallschicht die Strukturierungsschicht bedeckt, bei Ausführung von Schritt C die Metallschicht abgelöst wird. Wesentlich ist, dass die Strukturierungsschicht in Schritt B mittels einer HotMelt-Tinte erzeugt wird.
(EN) The invention relates to a method for producing a metal structure on a surface of a semiconductor substrate, comprising the following steps: A applying a metal layer, B applying a structuring layer and C removing the structuring layer. Either step B is carried out after step A and step C after step B in a masking method, so that the structuring layer covers the metal layer at least partially and, after step B is carried out, the metal layer is removed from the regions not covered by the structuring layer, before step C is carried out or, in a lift-off method, step A is carried out after step B and step C after step A, so that the structuring layer is covered essentially by the metal layer and, at least in the regions, in which the metal layer covers the structuring layer, the metal layer is detached when step C is carried out. It is essential that the structuring layer in step B is produced by means of a hot melt ink.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure métallique sur une surface d'un substrat semi-conducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes : A) appliquer une couche métallique, B) appliquer une couche de structuration et C) retirer la couche de structuration. Dans un procédé de masquage, l'étape B) est exécutée après l'étape A) et l'étape C) après l'étape B), de sorte que la couche de structuration couvre au moins une partie de la couche métallique et qu'après l'exécution de l'étape B), la couche métallique est enlevée des parties non recouvertes par la couche de structuration avant l'exécution de l'étape C). Dans un procédé de décollement, l'étape A) est exécutée après l'étape B) et l'étape C) après l'étape A), de sorte que la couche de structuration soit recouverte essentiellement par la couche métallique et que lors de l'exécution de l'étape C), la couche métallique soit détachée au moins dans les parties dans lesquelles la couche métallique recouvre la couche de structuration. Il est essentiel qu'au cours de l'étape B), la couche de structuration soit formée par une encre fusible à chaud.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP2285919US20110177651