(DE) Ein Leuchtchip umfasst wenigstens eine Halbleiterstruktur (12), welche bei Spannungsbeaufschlagung Licht abgibt und wenigstens einen Bondbereich (28, 24c) umfasst, sowie ein die Halbleiterstruktur (12) tragendes Trägersubstrat (32). Das Trägersubstrat (32) trägt auf wenigstens einem über die Halbleiterstruktur (12) überstehenden Flächenbereich (34, 36) eine Kontaktschicht (38, 40), welche elektrisch leitend mit dem Bondbereich (28, 24c) der Halbleiterstruktur (12) verbunden ist. Außerdem ist eine Leuchtvorrichtung (56; 62; 64; 72; 86; 90; 92; 132) angegeben mit wenigstens einer Halbleiterstruktur (12), welche bei Spannungsbeaufschlagung Licht abgibt und wenigstens einen Bondbereich (28, 24c) umfasst, und mit wenigstens einer mit einer Spannungsquelle verbindbaren Anschlusseinrichtung (58, 60; 68, 70; 82), welche elektrisch leitend mit dem Bondbereich (28, 24c) der Halbleiterstruktur (12) verbunden ist. Es ist wenigstens ein Leuchtchip (10, 10') nach einem der Ansprüche 1 bis 10 vorgesehen, wobei die Anschlusseinrichtung (58, 60; 68, 70; 82) mit der Kontaktschicht (38, 40) des Leuchtchips (10, 10') elektrisch leitend verbunden ist.
(EN) A light-emitting chip comprises at least one semiconductor structure (12) which emits light when a voltage is applied and which comprises at least one bond area (28, 24c), and also a support substrate (32) which carries the semiconductor structure (12). On at least one face area (34, 36) projecting over the semiconductor structure (12), the support substrate (32) carries a contact layer (38, 40) which is electrically conductively connected to the bond area (28, 24c) of the semiconductor structure (12). In addition, a light-emitting apparatus (56; 62; 64; 72; 86; 90; 92; 132) is specified with at least one semiconductor structure (12) which emits light when a voltage is applied and which comprises at least one bond area (28, 24c), and with at least one connection device (58, 60; 68, 70; 82) which can be connected to a voltage source and which is electrically conductively connected to the bond area (28, 24c) of the semiconductor structure (12). At least one light-emitting chip (10, 10') according to one of claims 1 to 10 is provided, wherein the connection device (58, 60; 68, 70; 82) is electrically conductively connected to the contact layer (38, 40) of the light-emitting chip (10, 10').
(FR) L'invention concerne une puce électroluminescente comprenant au moins une structure semi-conductrice (12), qui émet de la lumière lorsqu'une tension est appliquée à ses bornes et comporte au moins une zone de connexion (28, 24c), ainsi qu'un substrat de support (32) supportant la structure semi-conductrice (12). Le substrat de support (32) comporte, sur au moins une zone de surface (34, 36) faisant saillie de la structure semi-conductrice (12), une couche de contact (38, 40) reliée de manière électriquement conductrice à la zone de connexion (28, 24c) de la structure semi-conductrice (12). L'invention concerne également un dispositif électroluminescent (56; 62; 64; 72; 86; 90; 92; 132) comportant au moins une structure semi-conductrice (12), qui émet de la lumière lorsqu'une tension est appliquée à ses bornes et comporte au moins une zone de connexion (28, 24c), ainsi qu'au moins un dispositif de raccordement (58, 60; 68, 70; 82) pouvant être relié à une source de tension et relié de manière électriquement conductrice à la zone de connexion (28, 24c) de la structure semi-conductrice (12). Au moins une puce électroluminescente (10, 10') selon une des revendications 1 à 10 est prévue, le dispositif de raccordement (58, 60; 68, 70; 82) étant relié de manière électriquement conductrice à la couche de contact (38, 40) de la puce électroluminescente (10, 10').
