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1. (WO2009152790) STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/152790 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2009/000647
Veröffentlichungsdatum: 23.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 08.05.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
SABATHIL, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
HERRMANN, Siegfried [DE/DE]; DE (UsOnly)
BARCHMANN, Bernd [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
SABATHIL, Matthias; DE
HERRMANN, Siegfried; DE
BARCHMANN, Bernd; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 803399 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 028 886.118.06.2008DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
(EN) RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung:
(DE) Es ist ein strahlungsemittierendes Bauelement vorgesehen, das einen Träger (1) und mindestens einen darauf angeordneten Halbleiterchip (2) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine aktive Schicht zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung und eine erste Kontaktschicht (21) auf. Der Träger (1) weist zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterchips (2) mindestens eine erste und eine zweite Kontaktstruktur (4a, 4b) auf. Der Halbleiterchip (2) ist über die erste Kontaktschicht (21) mit der ersten Kontaktstruktur (4a) elektrisch leitend verbunden. Zumindest bereichsweise auf zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips (2) ist eine Passivierungsschicht (5) angeordnet. Auf zumindest einem Teilbereich der Passivierungsschicht (5) ist eine zweite Kontaktschicht (6) angeordnet, die von der von dem Träger (1) abgewandten Oberfläche des Halbleiterchips (2) über die Passivierungsschicht (5) zu der zweiten Kontaktstruktur (4b) führt. Der Halbleiterchip (2) weist kein Aufwachssubstrat (10) auf. Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
(EN) A radiation-emitting component is provided, which has a carrier (1) and at least one semiconductor chip (2) disposed thereon. The semiconductor chip (2) has an active layer for producing electromagnetic radiation and a first contact layer (21). In order to electrically contact the at least one semiconductor chip (2), the carrier (1) has at least one first and a second contact structure (4a, 4b). The semiconductor chip (2) is connected by the first contact layer (21) to the first contact structure (4a) in an electrically conductive manner. A passivation layer (5) is provided at least in some regions on at least one lateral surface of the semiconductor chip (2). A second contact layer (6), which leads from the surface of the semiconductor chip (2) facing away from the carrier (1) via the passivation layer (5) to the second contact structure (4b), is provided on at least one partial region of the passivation layer (5). The semiconductor chip (2) has no epitaxial growth substrate (10). Furthermore, a method for producing such a component is provided.
(FR) L'invention concerne un composant émetteur de rayonnement qui possède un support (1) et au moins une puce de semiconducteur (2) placée dessus. La puce de semiconducteur (2) présente une couche active destinée à produire un rayonnement électromagnétique et une première couche de contact (21). Le support (1), pour le contactage électrique de ladite ou desdites puces de semiconducteur (2), possède au moins une première et une deuxième structure de contact (4a, 4b). La puce de semiconducteur (2) est reliée de manière électriquement conductrice à la première structure de contact (4a), via la première couche de contact (21). Une couche de passivation (5) est placée au moins partiellement sur l'une des surfaces latérales de la puce de semiconducteur (2). Une deuxième couche de contact (6) est placée sur au moins une partie de la couche de passivation (5) et réalise la conduction entre la surface de la puce de semiconducteur (2) opposée au support (1) et la deuxième structure de contact (4b), via la couche de passivation (5). La puce de semiconducteur (2) ne possède pas de substrat de croissance (10). L'invention concerne en outre un procédé pour la fabrication d'un tel composant.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
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