(DE) Es wird ein integrierbarer Leistungstransistor für Spannungen um 700V beschrieben, der in Dickschicht-SOI-Technologie mit ca. 50 μm dicken, aktiven Siliziumschicht herstellbar ist. Der Aufbau ist eine Kombination aus einem DMOS-Transistor mit vertikaler Driftzone und einem unipolaren Leitungsmechanismus mit einem lateralen IGBT. Das Draingebiet des vertikalen DMOS-Transistors wird durch eine vergrabene, hoch dotierte, laterale Schicht (6) gebildet und über die vertikale, hoch dotierte Schicht (5) an der Grabenseitenwand (4) zur Oberfläche geführt. Der Drainanschluss (14) des DMOS-Transistors ist so gestaltet, dass er gleichzeitig als Anschluss des IGBT-Emitters fungiert.
(EN) An integrable power transistor for voltages of around 700 V is described, which can be produced with an active silicon layer having a thickness of approximately 50 µm using thick-film SOI technology. The construction is a combination of a DMOS transistor with a vertical drift zone and a unipolar conduction mechanism with a lateral IGBT. The drain region of the vertical DMOS transistor is formed by a buried, highly doped, lateral layer (6) and led to the surface by the vertical, highly doped layer (5) at the trench sidewall (4). The drain connection (14) of the DMOS transistor is configured such that it simultaneously functions as a connection of the IGBT emitter.
(FR) L'invention concerne un transistor de puissance intégrable pour des tensions voisines de 700 V qui peut être fabriqué avec la technologie SOI couche épaisse avec une couche de silicium active présentant une épaisseur d’environ 50 μm. La structure est une combinaison d’un transistor DMOS avec une zone de migration verticale et un mécanisme de conduction unipolaire avec un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) latéral. La zone de drain du transistor DMOS vertical est formée par une couche (6) latérale, fortement dopée, enterrée, et est guidée jusqu'à la surface par le biais de la couche fortement dopée verticale (5) sur la paroi latérale (4) de la tranchée. La borne de drain (14) du transistor DMOS est conçue de manière qu'elle fasse également office de borne d'émetteur du transistor IGBT.