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1. (WO2009150636) HOCHVOLT LEISTUNGSTRANSISTOR IN SOI-TECHNOLOGIE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten
Veröff.-Nr.: WO/2009/150636 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2009/052544
Veröffentlichungsdatum: 17.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 15.06.2009
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
70
Bipolare Bauelemente
72
Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar
739
gesteuert durch Feldeffekt
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
Anmelder:
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67 99097 Erfurt, DE (AllExceptUS)
LERNER, Ralf [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
LERNER, Ralf; DE
Vertreter:
LEONHARD, Reimund; DE
Prioritätsdaten:
10 2008 028 452.114.06.2008DE
Titel (DE) HOCHVOLT LEISTUNGSTRANSISTOR IN SOI-TECHNOLOGIE
(EN) HIGH-VOLTAGE POWER TRANSISTOR USING SOI TECHNOLOGY
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION EN TECHNOLOGIE SOI
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein integrierbarer Leistungstransistor für Spannungen um 700V beschrieben, der in Dickschicht-SOI-Technologie mit ca. 50 μm dicken, aktiven Siliziumschicht herstellbar ist. Der Aufbau ist eine Kombination aus einem DMOS-Transistor mit vertikaler Driftzone und einem unipolaren Leitungsmechanismus mit einem lateralen IGBT. Das Draingebiet des vertikalen DMOS-Transistors wird durch eine vergrabene, hoch dotierte, laterale Schicht (6) gebildet und über die vertikale, hoch dotierte Schicht (5) an der Grabenseitenwand (4) zur Oberfläche geführt. Der Drainanschluss (14) des DMOS-Transistors ist so gestaltet, dass er gleichzeitig als Anschluss des IGBT-Emitters fungiert.
(EN) An integrable power transistor for voltages of around 700 V is described, which can be produced with an active silicon layer having a thickness of approximately 50 µm using thick-film SOI technology. The construction is a combination of a DMOS transistor with a vertical drift zone and a unipolar conduction mechanism with a lateral IGBT. The drain region of the vertical DMOS transistor is formed by a buried, highly doped, lateral layer (6) and led to the surface by the vertical, highly doped layer (5) at the trench sidewall (4). The drain connection (14) of the DMOS transistor is configured such that it simultaneously functions as a connection of the IGBT emitter.
(FR) L'invention concerne un transistor de puissance intégrable pour des tensions voisines de 700 V qui peut être fabriqué avec la technologie SOI couche épaisse avec une couche de silicium active présentant une épaisseur d’environ 50 μm. La structure est une combinaison d’un transistor DMOS avec une zone de migration verticale et un mécanisme de conduction unipolaire avec un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) latéral. La zone de drain du transistor DMOS vertical est formée par une couche (6) latérale, fortement dopée, enterrée, et est guidée jusqu'à la surface par le biais de la couche fortement dopée verticale (5) sur la paroi latérale (4) de la tranchée. La borne de drain (14) du transistor DMOS est conçue de manière qu'elle fasse également office de borne d'émetteur du transistor IGBT.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
US20110156093