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1. (WO2009149687) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/149687 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2009/000756
Veröffentlichungsdatum: 17.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 28.05.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/225 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
22
Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen
225
durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
STRASSBURG, Martin [DE/DE]; DE (UsOnly)
LUGAUER, Hans-Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
GROLIER, Vincent [FR/DE]; DE (UsOnly)
HAHN, Berthold [DE/DE]; DE (UsOnly)
FLÖTER, Richard [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
STRASSBURG, Martin; DE
LUGAUER, Hans-Jürgen; DE
GROLIER, Vincent; DE
HAHN, Berthold; DE
FLÖTER, Richard; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 028 345.213.06.2008DE
Titel (DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
(EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS EN SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS EN SEMICONDUCTEUR
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein Halbleiterkörper (2) mit einer n-leitenden Halbleiterschicht (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angegeben. Die p-leitende Halbleiterschicht (22) enthält einen p-Dotierstoff und die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen n-Dotierstoff und einen weiteren Dotierstoff. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben.
(EN) A semiconductor body (2) comprising an n-conducting semiconductor layer (21) and a p-conducting semiconductor layer (22) is specified. The p-conducting semiconductor layer (22) contains a p-type dopant and the n-conducting semiconductor layer (21) contains an n-type dopant and a further dopant. A method for producing a semiconductor body is furthermore specified.
(FR) L’invention concerne un corps en semiconducteur (2) comprenant une couche en semiconducteur à conduction N (21) et une couche en semiconducteur à conduction P (22). La couche en semiconducteur à conduction P (22) contient une matière de dopage P et la couche en semiconducteur à conduction N (21) une matière de dopage N ainsi qu’une matière de dopage supplémentaire. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un corps en semiconducteur.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
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