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1. (WO2009146683) WÄRMEÜBERTRAGUNGSVORRICHTUNG MIT WENIGSTENS EINEM HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE EINEM LASER- ODER LEUCHTDIODENELEMENT, UND VERFAHREN ZU SEINER MONTAGE
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Veröff.-Nr.: WO/2009/146683 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2009/000770
Veröffentlichungsdatum: 10.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 02.06.2009
IPC:
H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024
Kühlanordnungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
40
Anordnungen von zwei oder mehr Halbleiterlasern, soweit nicht von Gruppen H01S5/02-H01S5/30125
Anmelder:
JENOPTIK LASER GMBH [DE/DE]; Göschwitzer Strasse 29 07745 Jena, DE (AllExceptUS)
SCHRÖDER, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
LORENZEN, Dirk [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
SCHRÖDER, Matthias; DE
LORENZEN, Dirk; DE
Prioritätsdaten:
10 2008 026 801.102.06.2008DE
Titel (DE) WÄRMEÜBERTRAGUNGSVORRICHTUNG MIT WENIGSTENS EINEM HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE EINEM LASER- ODER LEUCHTDIODENELEMENT, UND VERFAHREN ZU SEINER MONTAGE
(EN) HEAT TRANSFER DEVICE HAVING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR ELEMENT, PARTICULARLY A LASER OR LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT, AND METHOD FOR THE ASSEMBLY THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE TRANSMISSION DE CHALEUR PRÉSENTANT AU MOINS UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER UN ÉLÉMENT À DIODE LASER OU À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, ET PROCÉDÉ DE MONTAGE DE CE DISPOSITIF
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft unter anderem ein Verfahren zur Montage eines Halbleiterbauelementes, bei der das Halbleiterbauelement auf einander gegenüberliegenden Seiten in eine erste und eine zweite stoffschlüssige Verbindung mit jeweils einem Wärmeleitkörper gebracht wird. Die Wärmeleitkörper werden dazu in einer dritten stoffschlüssigen Verbindung im Bereich ihrer sich abseits des Halbleiterbauelementes erstreckenden Abschnitte verbunden, wobei ein Distanzstück, welches bezüglich der dritten Verbindung jenseits des Halbleiterbauelementes zwischen den Wärmeleitkörpern angeordnet ist, in Verbindung mit der Forderung, dass die Fügezonendicke der dritten Verbindung größer sei als die der ersten oder der zweiten Fügezone, für die Aufrechterhaltung definierter Fügezonendicken in den stoffschlüssigen Verbindungen während des Fügeprozesses sorgt. Über die dritte Verbindung erfolgt zumindest teilweise eine Wärmeübertragung der Abwärme des Halbleiterbauelementes insbesondere an eine an die erfindungsgemäß herstellte Wärmeübertragungsvorrichtung angeschlossene Wärmesenke.
(EN) The invention relates, among other things, to a method for the assembly of a semiconductor component, wherein the semiconductor component on mutually opposing sides is joined in a first and a second bonded connection with a heat-conducting body each. For this purpose, the heat-conducting bodies are joined in a third bonded connection in the region of the sections thereof extending away from the semiconductor element, wherein a spacer, which with regard to the third connection is disposed on the opposite side of the semiconductor component between the heat-conducting bodies, in conjunction with the requirement that the joining zone thickness of the third connection is greater than that of the first or the second joining zone, ensures that defined joining zone thicknesses in the bonded connection are maintained during the joining process. The third connection is used for the at least partial heat transfer of the waste heat of the semiconductor component, particularly to a heat sink that is connected to the heat transfer device produced according to the invention.
(FR) L'invention concerne, entre autres, un procédé de montage d'un composant semi-conducteur, procédé selon lequel le composant semi-conducteur est assemblé par ses faces opposées, dans un premier et un deuxième assemblage par liaison de matière, respectivement, avec un corps thermoconducteur. Les corps thermoconducteurs sont assemblés, dans un troisième assemblage par liaison de matière, dans la zone de leurs parties s'étendant à distance du composant semi-conducteur, une pièce d'écartement, étant disposée, par rapport au troisième assemblage, sur le côté opposé du composant semi-conducteur, entre les corps thermoconducteurs, pour que l'épaisseur de la zone de joint du troisième assemblage soit supérieure à celle de la première ou de la deuxième zone de joint, pour le maintien d'épaisseurs de zones de joint définies dans les assemblages par liaison de matière pendant le processus d'assemblage. Une transmission de la chaleur dissipée du composant semi-conducteur s'effectue, au moins partiellement, via le troisième assemblage, en particulier à un puits de chaleur connecté au dispositif de transmission de chaleur fabriqué selon l'invention.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP2291890JP2011522407US20110142087ES2398497CN102067395