Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2009144113) HALBLEITERBAUELEMENT MIT ASYMMETRISCHEM RANDABSCHLUSS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/144113 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2009/055362
Veröffentlichungsdatum: 03.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 04.05.2009
IPC:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
06
gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
04
gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
24
nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20 oder H01L29/22206
Anmelder:
SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG [DE/DE]; Günther-Scharowsky-Str. 1 91058 Erlangen, DE (AllExceptUS)
ELPELT, Rudolf [DE/DE]; DE (UsOnly)
PETERS, Dethard [DE/DE]; DE (UsOnly)
WEHRHAHN-KILIAN, Larissa [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
ELPELT, Rudolf; DE
PETERS, Dethard; DE
WEHRHAHN-KILIAN, Larissa; DE
Vertreter:
MAIER, Daniel; DE
Prioritätsdaten:
10 2008 025 243.327.05.2008DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT ASYMMETRISCHEM RANDABSCHLUSS
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH ASYMMETRICAL EDGE TERMINATION
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BORDURE ASYMÉTRIQUE
Zusammenfassung:
(DE) Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass das als Halbleitermaterial verwendete 4H-SiC eine gegenüber einer Normalen der Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements geneigte (kristallographische) C-Achse aufweist und dass der in Neigungsrichtung der C-Achse liegende Bereich (105a) des das aktive Gebiet (103) rahmenförmig umfassenden Randabschlusses (105) eine größere Breite (W1), eine größere Tiefe und/oder eine höhere Dotierstoffkonzentration aufweist als der entsprechende Parameter (Breite W2 < W1) des gegenüberliegend angeordneten Bereichs (105b) des Randabschlusses (105). Der Randabschluss des Halbleiterbauelements besitzt somit einen hinsichtlich der Breite, der Tiefe oder der Dotierstoffkonzentration unsymmetrischen Aufbau, so dass sich die Stromlast im Falle eines Lawinendurchbruchs flächig gleichmäßig über den Randabschluss verteilt.
(EN) The semiconductor component according to the invention is characterized in particular in that the 4H-SiC used as the semiconductor material has a (crystallographic) C axis that is tilted relative to a normal of the main surface of the semiconductor component and that the area (105a) of the edge termination (105) in the form of a frame surrounding the active area (103), said area lying in the direction of tilt of the C axis, has a large width (W1), a large depth and/or a higher dopant concentration than the corresponding parameter (width W2 < W1) of the area (105b) of the edge termination (105) disposed opposite thereto.  The edge termination of the semiconductor component thus possesses an asymmetrical construction with respect to the width, depth or dopant concentration so that the current load is evenly distributed over the edge termination area in the event of an avalanche breakdown.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur particulièrement caractérisé en ce que le 4H-SiC utilisé comme matériau semi-conducteur présente un axe C (cristallographique) incliné par rapport à la normale de la surface principale du composant semi-conducteur et en ce que la zone (105a), s'étendant dans la direction d'inclinaison de l'axe C, de la bordure (105) entourant la région active (103) comme un cadre présente une largeur (W1), une profondeur et/ou une concentration en dopant supérieures au paramètre correspondant (largeur W2 < W1) de la zone opposée (105b) de la bordure (105). La bordure du composant semi-conducteur présente ainsi une structure asymétrique eu égard à la largeur, la profondeur ou la concentration en dopant, de sorte que la charge de courant en cas de claquage par avalanche se répartit uniformément sur toute la surface de la bordure.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)