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1. (WO2009143813) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT PHASENSTRUKTUR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/143813 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2009/000716
Veröffentlichungsdatum: 03.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 20.05.2009
IPC:
H01S 5/10 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01) ,H01S 5/16 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
16
Fenster-Typ-Laser [window-type laser], d.h. zwischen dem aktiven Gebiet und der Reflektoroberfläche befindet sich ein Gebiet aus nicht-absorbierendem Material
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastrasse 27 c 80686 Muenchen, DE (AllExceptUS)
SCHMID, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
ZEITNER, Uwe D. [DE/DE]; DE (UsOnly)
ECKSTEIN, Hans-Christoph [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
SCHMID, Wolfgang; DE
ZEITNER, Uwe D.; DE
ECKSTEIN, Hans-Christoph; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 025 922.530.05.2008DE
Titel (DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT PHASENSTRUKTUR
(EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER HAVING A PHASE STRUCTURE
(FR) LASER SEMICONDUCTEUR À STRUCTURE DE PHASE ET À ÉMISSION LATÉRALE
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (2A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist. Der Wellenleiterbereich (4) ist zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet. Der Halbleiterkörper (10) weist einen Hauptbereich (5) und mindestens einen Phasenstrukturbereich (6) auf, in dem eine Phasenstruktur zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist. Zur Verminderung von Koppelverlusten ist der Phasenstrukturbereich (6) außerhalb des Wellenleiterbereichs (4) angeordnet oder durch einen Bereich (6) gebildet, in dem ein Dotierstoff eingebracht oder eine Durchmischungsstruktur erzeugt ist.
(EN) The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body (10), which has a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) has an active layer (3) for producing laser radiation, said layer being disposed between a first waveguide layer (2A) and a second waveguide layer (2B). The waveguide region (4) is disposed between a first casing layer (1A) and a second casing layer (1B). The semiconductor body (10) comprises a primary region (5) and at least one phase structure region (6), in which a phase structure is configured for the selection of lateral modes of the laser radiation emitted by the active layer (3). In order to prevent coupling losses, the phase structure region (6) is disposed outside the waveguide region (4) or is formed by a region (6) into which a doping agent has been introduced or in which a mixing structure has been produced.
(FR) L'invention concerne un laser semiconducteur à émission latérale, comportant un corps semiconducteur (10) qui présente une zone de guides d'ondes (4) comportant une couche active (3) destinée à la génération d'un rayonnement laser et disposée entre une première couche de guides d'ondes (2A) et une deuxième couche de guides d'ondes (2B). La zone de guides d'ondes (4) est disposée entre une première couche enveloppe (1A) et une deuxième couche enveloppe (1B). Le corps semiconducteur (10) comporte une zone principale (5) et au moins une zone de structure de phase (6) dans laquelle est formée une structure de phase pour la sélection de modes latéraux du rayonnement laser émis par la couche active (3). Afin de réduire les pertes de couplage, la zone de structure de phase (6) est placée à l'extérieur de la zone de guides d'ondes (4) ou bien formée d'une zone (6) dans laquelle un dopant est inséré ou une structure de mélange est générée.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
CN102113187