Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2009143797) HALBLEITERBAUELEMENT, REFLEXLICHTSCHRANKE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES DAFÜR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/143797 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2009/000545
Veröffentlichungsdatum: 03.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 17.04.2009
IPC:
H01L 31/167 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
12
baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt
16
mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen
167
wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
ZITZLSPERGER, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
ZEILER, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
ZITZLSPERGER, Michael; DE
ZEILER, Thomas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 025 159.326.05.2008DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT, REFLEXLICHTSCHRANKE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES DAFÜR
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT, REFLECTED-LIGHT BARRIER AND METHOD FOR PRODUCING A HOUSING THEREFOR
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR, BARRIÈRE PHOTOÉLECTRIQUE À RÉFLEXION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN BOÎTIER À CET EFFET
Zusammenfassung:
(DE) Die Anmeldung betrifft ein Halbleiterbauelement, eine Reflexlichtschranke sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für eine Reflexlichtschranke, wobei das Gehäuseunterteil (5) monolithisch ist und zumindest zwei Kavitäten (6, 7) aufweist, in die ein Emitter (3) und ein Detektor (4) eingebracht sind.
(EN) The application relates to a semiconductor component, a reflected-light barrier, and a method for producing a housing for a reflected-light barrier, wherein the lower part (5) of the housing is monolithic and has at least two cavities (6, 7) into which an emitter (3) and a detector (4) are introduced.
(FR) L’invention concerne un composant semiconducteur, une barrière photoélectrique à réflexion ainsi qu’un procédé de fabrication d’un boîtier pour une barrière photoélectrique à réflexion. Selon l’invention, la partie inférieure du boîtier (5) est monolithique et présente au moins deux cavités (6, 7) dans lesquelles sont logés un émetteur (3) et un détecteur (4).
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP2279533JP2011523508US20110266559CN102047444KR1020110015550