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1. (WO2009086986) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG PORÖSER MIKROSTRUKTUREN, NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE PORÖSE MIKROSTRUKTUREN SOWIE DEREN VERWENDUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/086986    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2008/065806
Veröffentlichungsdatum: 16.07.2009 Internationales Anmeldedatum: 19.11.2008
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
SCHOLTEN, Dick [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PIRK, Tjalf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STUMBER, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REICHENBACH, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHOLTEN, Dick; (DE).
PIRK, Tjalf; (DE).
STUMBER, Michael; (DE).
LAERMER, Franz; (DE).
REICHENBACH, Ralf; (DE).
FEYH, Ando; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
102008003453.3 08.01.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG PORÖSER MIKROSTRUKTUREN, NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE PORÖSE MIKROSTRUKTUREN SOWIE DEREN VERWENDUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING POROUS MICROSTRUCTURES, POROUS MICROSTRUCTURES PRODUCED BY THIS METHOD AND USE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES MICROSTRUCTURES POREUSES, STRUCTURES MICROPOREUSES OBTENUES SELON LE PROCÉDÉ ET LEUR UTILISATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung poröser Mikrostrukturen (8, 8') in einem Si-Halbleitersubstrat (1), nach diesem Verfahren hergestellte poröse Mikrostrukturen (8, 8') sowie deren Verwendung.
(EN)The invention relates to a method for producing porous microstructures (8, 8') in an Si semiconductor substrate (1), to porous microstructures (8, 8') produced according to this method and to the use thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de microstructures poreuses (8, 8') dans un substrat semi-conducteur Si (1), les microstructures poreuses (8, 8') obtenues selon le procédé ainsi que leur utilisation.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)