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1. (WO2009079983) LEUCHTDIODENCHIP MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/079983    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2008/002058
Veröffentlichungsdatum: 02.07.2009 Internationales Anmeldedatum: 09.12.2008
IPC:
H01L 25/075 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
SORG, Jörg Erich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GRUBER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BOGNER, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SORG, Jörg Erich; (DE).
GRUBER, Stefan; (DE).
BOGNER, Georg; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 061 479.0 20.12.2007 DE
Titel (DE) LEUCHTDIODENCHIP MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
(EN) LED CHIP WITH DISCHARGE PROTECTION
(FR) PUCE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AVEC PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, der eine Vorrichtung zum Schutz vor Überspannungen, kurz ESD-Schutzvorrichtung (2), aufweist. Die ESD-Schutzvorrichtung (2) ist in einen Träger (3) integriert, auf der sich die Halbleiterschichtenfolge (1) des Leuchtdiodenchips befindet, und beruht auf einer speziellen Dotierung bestimmter Bereiche dieses Trägers (3). Beispielsweise ist die ESD-Schutzvorrichtung (2) als Zener-Diode ausgebildet, die mit der Halbleiterschichtenfolge (1) mittels einer elektrischen Leiterstruktur (5) verbunden ist.
(EN)The invention relates to an LED chip comprising a device for discharge protection, a so-called ESD protection device (2). Said ESD protection device (2) is integrated into a support (3) on which the semiconductor layer sequence (1) of the LED chip is located and is based on how certain regions of the support (3) are specifically doped. The ESD protection device (2) is e.g. designed as a zener diode that is connected to the semiconductor layer sequence (1) by means of an electrical conductor structure (5).
(FR)L'invention concerne une puce à diode électroluminescente qui présente un dispositif de protection contre les surtensions, en abrégé, dispositif de protection ESD (2). Le dispositif de protection ESD (2) est intégré dans un support (3) sur lequel se trouve la succession de couches semi-conductrices (1) de la puce à diode électroluminescente, et se fonde sur un dopage spécial de zones données de ce support (3). Le dispositif de protection ESD (2) est par exemple réalisé sous forme de diode Zener, qui est reliée à la succession de couches semi-conductrices (1) au moyen d'une structure électroconductrice (5).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)