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1. (WO2009079969) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES IN DÜNNSCHICHTTECHNIK
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/079969    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2008/001940
Veröffentlichungsdatum: 02.07.2009 Internationales Anmeldedatum: 21.11.2008
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
GROLIER, Vincent [FR/DE]; (DE) (For US Only).
PLÖSSL, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GROLIER, Vincent; (DE).
PLÖSSL, Andreas; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 061 471.5 20.12.2007 DE
10 2008 026 839.9 05.06.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES IN DÜNNSCHICHTTECHNIK
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN OPTOELECTRONIC COMPONENT USING THIN-FILM TECHNOLOGY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE SUIVANT UNE TECHNIQUE EN COUCHES MINCES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Auf einem Epitaxiesubstrat (1) wird eine für Leuchtdioden oder andere optoelektronische Bauelemente in Dünnschichttechnik vorgesehene Schichtstruktur (5, 6, 7) hergestellt und mit einer ersten Verbindungsschicht (2), die ein oder mehrere Lotmaterialien umfasst, versehen. Auf einem Träger (10) wird eine zweite Verbindungsschicht (3) ganzflächig aufgebracht und mit der ersten Verbindungsschicht (2) durch einen Lötprozess dauerhaft verbunden.
(EN)A thin-film layer structure (5, 6, 7) that is used for light emitting diodes or other optoelectronic components is produced on an epitaxial substrate (1) and is provided with a first connecting layer (2) which comprises one or more solder materials. A second connecting layer (3) is applied to the entire surface of a support (10) and is permanently connected to the first connecting layer (2) by means of a soldering process.
(FR)Sur un substrat épitaxié (1), on produit, suivant une technique en couches minces, une structure de couche (5, 6, 7) prévue pour des diodes électroluminescentes ou d'autres composants optoélectroniques, et qui est pourvue d'une première couche de liaison (2) qui comprend un ou plusieurs matériaux de brasure. Sur un support (10), on applique, sur toute la surface, une seconde couche de liaison (3), laquelle est liée par brasage, de manière permanente, avec la première couche de liaison (2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)