Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2009046954) VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANO-IMPRINTSTEMPELN SOWIE MIKROMECHANISCH ABSTIMMBARES FILTER/DETEKTOR-ARRAY

Pub. No.:    WO/2009/046954    International Application No.:    PCT/EP2008/008427
Publication Date: 16.04.2009 International Filing Date: 06.10.2008
IPC: B81C 1/00
Applicants: OPSOLUTION NANOPHOTONICS GMBH
HILLMER, Hartmut
Inventors: HILLMER, Hartmut
Title: VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANO-IMPRINTSTEMPELN SOWIE MIKROMECHANISCH ABSTIMMBARES FILTER/DETEKTOR-ARRAY
Abstract:
Die Erfindung richtet sich auf ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von Nano- Imprint Stempeln die als solche zur Fertigung nanotechnischer Strukturen Anwendung finden können. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Lösungen aufzuzeigen durch welche es möglich wird, Nano-Imprintstempel zu fertigen die als solche besondere geometrische Eigenschaften aufweisen und hierdurch weitere Gestaltungsmöglichkeiten für Nano-Imprint Produkte bieten. Diese Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung gelöst durch einen Nano-Imprint Stempel mit einem Stempelkorpus (K) der durch lokalen Materialabtrag aus einem Stempelrohling gefertigt ist und eine Stempel Stirnstruktur bildet, wobei diese Stempelstirnstruktur in Richtung einer Stempelsetzachse (X) in ein Umformsubstrat einpressbar ist, zur Generierung eines zur Stempelstirnstruktur komplementären Abdrucks, wobei die Stempelstirnstruktur mehrere Setzflächen (S1,S2,...) trägt die im wesentlichen quer zur Stempelsetzachse (X) ausgerichtet sind, und diese Setzflächen (S1,S2,...) in Richtung der Stempelsetzachse (X) betrachtet unterschiedliche vertikale Levelpositionen (Ll, L2...) einnehmen, wobei sich dieser Nano-Imprintstempel dadurch auszeichnet, dass der Stempelrohling als Schichtstruktur aufgebaut ist, und mehrere Schichtgrenzen (Gl, G2, G3) beinhaltet, wobei die Schichtstruktur derart gestaltet ist, dass die Positionen der Schichtgrenzen (Gl, G2, G3) den vertikalen Levelpositionen (Ll, L2...) der Setzflächen (Sl, S2,...) entsprechen.