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1. (WO2009039841) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/039841    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2008/001579
Veröffentlichungsdatum: 02.04.2009 Internationales Anmeldedatum: 24.09.2008
IPC:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, Regensburg 93055 (DE) (For All Designated States Except US).
BAUR, Elmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEGLEITER, Walter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BAUR, Elmar; (DE).
WEGLEITER, Walter; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 046 337.7 27.09.2007 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterchip angegeben, der eine Kontaktschicht (6) aufweist, die für viele gängige Anwendungen nicht optimal ist. Beispielsweise ist die Kontaktschicht zu dünn, um einen für den Halbleiterchip vorgesehenen Betriebsstrom ohne wesentliche Degradierung zu vertragen. Zudem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, in dem der Halbleiterchip derart integriert werden kann, dass die suboptimale Beschaffenheit der Kontaktschicht kompensiert wird. Bei dem Bauelement ist der Halbleiterchip derart auf einem Trägerkörper (10) aufgebracht, dass die Kontaktschicht auf einer vom Trägerkörper abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Der Halbleiterchip und der Trägerkörper sind zumindest teilweise mit einer elektrischen Isolierschicht (3) bedeckt und ein auf der Isolierschicht aufgebrachter elektrischer Leiter (14) erstreckt sich lateral vom Halbleiterkörper weg und berührt zumindest eine Teilfläche der Kontaktschicht. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Bauelements angegeben.
(EN)The invention relates to a semiconductor chip comprising a contact layer (6) that is not optimal for many common applications. For example, the contact layer is too thin to tolerate an operating current provided for the semiconductor chip. The invention further relates to an optoelectronic component into which the semiconductor chip may be integrated such that the suboptimal configuration of the contact layer is compensated. In the component, the semiconductor chip is attached to a carrier body (10) such that the contact layer is disposed on a side of the semiconductor body facing away from the carrying body. The semiconductor chip and the carrier body are at least partially covered by an electrical insulating layer (3) and an electrical conductor (14) placed on the insulating layer extends laterally away from the semiconductor body and contacts at least a partial surface of the contact layer. The invention additionally relates to an advantageous method for producing the component.
(FR)Cette invention a pour objet une puce semi-conductrice comprenant une couche de contact (6) qui n'est pas optimale pour de nombreuses applications courantes. Par exemple, la couche de contact est trop fine pour supporter un courant alimentant la puce semi-conductrice sans dégradation significative. En outre, l'invention concerne également un composant optoélectronique dans lequel la puce semi-conductrice peut être intégrée, de sorte à compenser la qualité sous-optimale de la couche de contact. Pour ce qui est du composant, la puce semi-conductrice est agencée sur un corps de support (10), de telle sorte que la couche de contact soit disposée sur un côté du corps semi-conducteur éloigné du corps de support. La puce semi-conductrice et le corps de support sont au moins partiellement recouverts d'une couche d'isolation électrique (3) et un conducteur électrique (14) agencé sur la couche d'isolation s'étend latéralement à distance du corps semi-conducteur et touche au moins une partie de la surface de la couche de contact. Par ailleurs, l'invention concerne un procédé avantageux de fabrication du composant.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)