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1. (WO2009039829) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT, AUFNAHME FÜR EIN STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/039829    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2008/001533
Veröffentlichungsdatum: 02.04.2009 Internationales Anmeldedatum: 12.09.2008
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
SORG, Jörg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GRUBER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SORG, Jörg; (DE).
GRUBER, Stefan; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 046 744.5 28.09.2007 DE
10 2008 005 345.7 21.01.2008 DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT, AUFNAHME FÜR EIN STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR COMPONENT, RECEPTACLE FOR A RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT DU RAYONNEMENT, BOÎTIER POUR UN TEL COMPOSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL COMPOSANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein halbleiterbasiertes Bauelement mit strahlungsemittierenden Eigenschaften. Dabei ist ein Glassubstrat (1) vorgesehen, welches eine erste Oberfläche (2) und eine zweite Oberfläche (3) aufweist, wobei auf der ersten Oberfläche (2) ein Halbleiterelement (5) mit Strahlungsemittierenden Eigenschaften aufgenommen ist. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines halbleiterbasierten Bauelements, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Glassubstrats (1), Aufbringen eines Halbleiterelements (5) auf der ersten Oberfläche (2) des Glassubstrats. Die Erfindung betrifft weiter eine Aufnahme für ein halbleiterbasiertes Bauelement bei der zwei elektrische Kontaktflächen (13) vorgesehen sind, welche elektrisch leitend mit Kontaktflächen (7) des halbleiterbasierten Bauelements verbindbar sind.
(EN)The invention relates to a semiconductor-based component having radiation-emitting properties. A glass substrate (1) is provided comprising a first surface (2) and a second surface (1), wherein a semiconductor element (5) having radiation-emitting properties is accommodated on the first surface (2). The invention further relates to a method for producing a semiconductor-based component having the following steps: - providing a glass substrate (1), - applying a semiconductor element (5) to the first surface (2) of the glass substrate. The invention further relates to a receptacle for a semiconductor-based component in which two electrical contact surfaces (13) are provided that may be connected in an electrically conductive manner to contact surfaces (7) of the semiconductor-based component.
(FR)La présente invention concerne un composant à base de semi-conducteur présentant des propriétés d'émission de rayonnement. Il comporte un substrat de verre (1) présentant une première surface (2) et une seconde surface (3), la première surface (2) accueillant un élément semi-conducteur (5) aux propriétés d'émission de rayonnement. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant à base de semi-conducteur consistant à se procurer un substrat de verre (1) puis à pourvoir d'un élément semi-conducteur (5) la première surface (2) du substrat de verre. L'invention concerne en outre un boîtier pour un composant à base de semi-conducteur pourvu de deux surfaces de contact électrique (13) permettant une connexion électro-conductrice avec des surfaces de contact (7) du composant à base de semi-conducteur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)