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1. (WO2009033905) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/033905    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2008/060506
Veröffentlichungsdatum: 19.03.2009 Internationales Anmeldedatum: 11.08.2008
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG [DE/DE]; Hellabrunner Str. 1, 81543 München (DE) (For All Designated States Except US).
BERBEN, Dirk [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FIEDLER, Tim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JERMANN, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZACHAU, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BERBEN, Dirk; (DE).
FIEDLER, Tim; (DE).
JERMANN, Frank; (DE).
ZACHAU, Martin; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 042 642.0 07.09.2007 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1) angegeben. Dabei wird ein Gehäusegrundkörper (11) bereitgestellt. An dem Gehäusegrundkörper (11) sind ein Lumineszenzdiodenchip (2) und ein freiliegender Teil der Außenfläche mindestens eines ersten elektrischen Leiters (3,4) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip (2) ist geeignet, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren. Auf zumindest den freiliegenden Teil der Außenfläche des ersten elektrischen Leiters (3) und auf freiliegende elektrisch leitfähige Außenflächen des Lumineszenzdiodenchips (2) wird unter Verwendung von Elektrophorese ein Lumineszenzkonversionsmaterial (82) aufgebracht. Das Lumineszenzkonversionsmaterial (82) enthält mindestens einen Leuchtstoff, der geeignet ist, die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren. Zudem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1). In einer Vertiefung (5) enthaltene elektrisch isolierende Außenflächen des optoelektronischen Bauelements (1) sind im Wesentlichen frei von dem Lumineszenzkonversionsmaterial (82).
(EN)A method for producing an optoelectronic component (1) is specified. This involves providing a housing basic body (11). A luminescence diode chip (2) and an uncovered part of the outer area of at least one first electrical conductor (3, 4) are arranged on the housing basic body (11). The luminescence diode chip (2) is suitable for emitting an electromagnetic primary radiation. Using electrophoresis, a luminescence conversion material (82) is applied to at least the uncovered part of the outer area of the first electrical conductor (3) and to uncovered electrically conductive outer areas of the luminescence diode chip (2). The luminescence conversion material (82) contains at least one phosphor suitable for at least partly converting the primary radiation into a secondary radiation. An optoelectronic component (1) is additionally specified. Electrically insulating outer areas of the optoelectronic component (1) which are contained in a depression (5) are substantially free of the luminescence conversion material (82).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (1). On fournit ici un corps de base de boîtier (11). Une puce à diode électroluminescente (2) et une partie dénudée de la surface extérieure d'au moins un premier conducteur électrique (3, 4) sont disposées sur le corps de base de boîtier (11). La puce à diode électroluminescente (2) est capable d'émettre un rayonnement électromagnétique primaire. Un matériau (82) de conversion de luminescence est apposé par électrophorèse sur au moins la partie dénudée de la surface extérieure du premier conducteur électrique et sur des surfaces extérieures électroconductrices dénudées de la puce à diode électroluminescente (2). Le matériau (82) de conversion de luminescence contient au moins une substance luminescente qui est capable de convertir le rayonnement primaire au moins partiellement en un rayonnement secondaire. L'invention concerne en outre un composant optoélectronique (1). Des surfaces extérieures électriquement isolantes du composant optoélectronique (1), contenues dans un renfoncement (5), sont essentiellement dépourvues de matériau (82) de conversion de luminescence.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)