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1. (WO2009033888) SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON WECHSELSPANNUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/033888    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2008/060223
Veröffentlichungsdatum: 19.03.2009 Internationales Anmeldedatum: 04.08.2008
IPC:
H03K 17/687 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
MUELLER, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HUEFTLE, Gerhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
OPITZ, Bernhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HORSTBRINK, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LANG, Tobias [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RADWAN, Sami [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KUENZL, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WANJA, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MUELLER, Roland; (DE).
HUEFTLE, Gerhard; (DE).
OPITZ, Bernhard; (DE).
HORSTBRINK, Michael; (DE).
LANG, Tobias; (DE).
RADWAN, Sami; (DE).
KUENZL, Bernd; (DE).
WANJA, Roland; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
102007043075.4 10.09.2007 DE
102008040674.0 24.07.2008 DE
Titel (DE) SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON WECHSELSPANNUNGEN
(EN) CIRCUIT AND METHOD FOR SWITCHING AC VOLTAGES
(FR) COMMUTATION ET PROCÉDÉ DE COMMUTATION DE TENSIONS ALTERNATIVES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird eine Schaltungsanordnung zum Schalten mindestens einer mit Wechselspannung (AC) zu betreibenden Last (L1) mit zwei antiseriell geschalteten Feldeffekttransistoren (M1, M2) beschrieben, wobei die Source (S1 S2) -Anschlüsse der beiden Feldeffekttransistoren miteinander verbunden sind. Um Wechselspannungs-Leistunssignale gegenüber Masse-Potential schnell und velustarm zu schalten, sind die Gate (G1 G2) -Anschlüsse der Feldeffekttransistoren (M1 M2) elektrisch leitend miteinander verbundenund liegt ein elektrischer Schalter (Q1) zwischen den Gate (G1 G2) -Anschlüssen und einer Versorgungs-Spannung (V1). Durch den Einsatz eines dritten Feldeffekttransistors (M5) kann die Abschaltung- der Last optimiert werden.
(EN)The invention describes a circuit arrangement for switching at least one load (L1), to be operated with an AC voltage (AC), with two field effect transistors (M1, M2) which are connected back-to-back in series, wherein the source terminals (S1, S2) of the two field effect transistors are connected to one another. In order to switch AC voltage power signals rapidly and at low losses with respect to ground potential, the gate terminals (G1, G2) of the field effect transistors (M1, M2) are electrically conductively connected to one another, and there is an electrical switch (Q1) between the gate terminals (G1, G2) and a supply voltage (V1). Owing to the use of a third field effect transistor (M5), it is possible for the disconnection of the load to be optimized.
(FR)L'invention concerne un dispositif de commutation pour commuter au moins une charge (L1) fonctionnant avec une tension alternative (CA) comprenant deux transistors à effet de champ en anti-série (M1, M2), les connexions des sources (S1 S2) des deux transistors à effet de champ étant reliées entre elles. L'invention vise à commuter rapidement et sans perte les signaux de puissance à tension alternative par rapport au potentiel de masse. A cet effet, les connexions de grilles (G1 G2) des transistors à effet de champ (M1 M2) sont reliées entre elles de manière électroconductrice et un commutateur électrique (Q1) est situé entre les connexions de grilles (G1 G2) et une tension d'alimentation (V1). L'utilisation d'un troisième transistor à effet de champ (M5) permet d'optimiser la déconnexion de charge.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)