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1. (WO2009030336) SCHALTUNGSANORDNUNG UND EIN VERFAHREN ZUM VERKAPSELN DERSELBEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/030336    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2008/006526
Veröffentlichungsdatum: 12.03.2009 Internationales Anmeldedatum: 07.08.2008
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    15.06.2009    
IPC:
H01L 23/31 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN [DE/DE]; Forsthausweg 2, 47057 Duisburg (DE) (For All Designated States Except US).
SCHELLE, Burkhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLIEBER, Robert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHELLE, Burkhard; (DE).
KLIEBER, Robert; (DE)
Vertreter: SCHENK, Markus; Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, Postfach 246, 82043 Pullach bei München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 041 229.2 31.08.2007 DE
Titel (DE) SCHALTUNGSANORDNUNG UND EIN VERFAHREN ZUM VERKAPSELN DERSELBEN
(EN) CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ENCAPSULATION THEREOF
(FR) CIRCUITERIE ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULAGE DE CELLE-CI
Zusammenfassung: front page image
(DE)Eine Schaltungsanordnung weist ein Substrat (110) mit einem Anschlussbereich (115), ein Halbleiterbauelement (120) mit einem Kontaktanschluss (125), einen Bonddraht (130), der den Anschlussbereich (115) mit dem Kontaktanschluss (125) verbindet und ein Glaslot-Vergussmaterial (140) auf. Das Glaslot-Vergussmaterial (140) ist an dem Halbleiterbauelement (120) mit dem Bonddraht (130) angeordnet, so dass zumindest der Bonddraht (130) hermetisch umgeben ist. Das Substrat (110) weist ein Substratmaterial mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten, das Halbleiterbauelement (120) ein Bauelementmaterial mit einem zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten und der Bonddraht (130) ein Bonddrahtmaterial mit einem dritten thermischen Ausdehnungskoef f izienten aufweist. Das Glaslot-Vergussmaterial (140) weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der auf einem vordefinierten Wert hinsichtlich des zweiten und dritten thermischen Ausdehnungskoeffizienten eingestellt ist.
(EN)The invention relates to a circuit arrangement comprising a substrate (110) provided with a connection area (115), a semiconductor component (120) provided with a contact connection (125), a bonding wire (130) that joins the connection area (115) to the contact connection (125) and a glass solder cast material (140). Said glass solder cast material (140) is arranged with the bonding wire (130) on the semiconductor component (120) such that at least the bonding wire (130) is hermetically surrounded. Said substrate (110) comprises a substrate material having a first thermal expansion coefficient, the semiconductor component (120) has a component material with a second thermal expansion coefficient and the bonding wire (130) has a bonding wire material having a third expansion coefficient. The glass solder cast material (140) has a thermal expansion coefficient that is adjusted to a predefined value in relation to the second and third thermal expansion coefficients.
(FR)L'invention concerne une circuiterie comportant un substrat (110) présentant une zone de connexion (115), un composant à semiconducteurs (120) pourvu d'une borne de contact (125), un fil de liaison (130) connectant la zone de connexion (115) à la borne de contact (125), et un matériau de verre de scellement (140). Le matériau de verre de scellement (140) est disposé sur le composant à semiconducteurs (120) avec le fil de liaison (130) de telle manière qu'au moins le fil de liaison (130) est entouré hermétiquement. Le substrat (110) présente un matériau de substrat ayant un premier coefficient de dilatation thermique, le composant à semiconducteurs (120) présente un matériau de composant ayant un deuxième coefficient de dilatation thermique, et le fil de liaison (130) présente un matériau de fil de liaison ayant un troisième coefficient de dilatation thermique. Le matériau de verre de scellement (140) présente un coefficient de dilatation thermique réglé à une valeur prédéfinie par rapport au deuxième et au troisième coefficient de dilatation thermique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)