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1. (WO2009030204) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/030204    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2008/001449
Veröffentlichungsdatum: 12.03.2009 Internationales Anmeldedatum: 29.08.2008
IPC:
H01L 25/075 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HERMANN, Siegfried [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HERMANN, Siegfried; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2007 041 896.7 04.09.2007 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das wenigstens einen optisch aktiven ersten Bereich (112) zum Abstrahlen von elektromagnetischer Strahlung (130) in wenigstens eine Abstrahlrichtung und wenigstens einen optisch aktiven zweiten Bereich (122) zum Abstrahlen von elektromagnetischer Strahlung (130) in die wenigstens eine Abstrahlrichtung aufweist. Dabei ist der erste Bereich (112) in einer ersten Schicht (110) und der zweite Bereich (122) in einer zweiten Schicht (120) angeordnet, wobei die zweite Schicht (120) in der Abstrahlrichtung über der ersten Schicht (110) angeordnet ist und einen dem ersten Bereich (112) zugeordneten ersten Durchlassbereich (124) aufweist, der zumindest teilweise durchlässig für die elektromagnetische Strahlung (130) des ersten Bereichs (112) ist.
(EN)The invention relates to a semiconductor component that comprises at least one optically active first area (112) for emitting electromagnetic radiation (130) in at least one direction of radiation and at least one optically active second area (122) for emitting electromagnetic radiation (130) in the at least one direction of radiation. The first area (112) is arranged in a first layer (110) and the second area (122) is arranged in a second layer (120). The second layer (120) is arranged in the direction of radiation above the first layer (110) and comprises a first passable area (124) that is associated with first area (112), said passable area being at least partially permeable to the electromagnetic radiation (130) of the first area (112).
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur qui comprend au moins une première zone optiquement active (112) pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique (130) dans au moins une direction, et au moins une seconde zone optiquement active (122) pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique (130) dans ladite au moins une direction de rayonnement. La première zone (112) est formée dans une première couche (110) et la seconde zone (122) est formé dans une seconde couche (120), la seconde couche (120) étant placée au-dessus de la première couche (110) dans la direction d'émission du rayonnement, et comportant une première zone de passage (124) correspondant à la première zone (112), qui laisse passer au moins partiellement le rayonnement électromagnétique (130) de la première zone (112).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)