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1. WO2009024462 - LASERVERSTÄRKERSYSTEM

Veröffentlichungsnummer WO/2009/024462
Veröffentlichungsdatum 26.02.2009
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2008/060303
Internationales Anmeldedatum 05.08.2008
IPC
H01S 5/183 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
18Oberflächenemittierende Laser
183mit vertikalem Resonator
H01S 5/04 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
04Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
H01S 5/14 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
14Laser mit externem Resonator
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01S 5/024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Cooling arrangements
H01S 5/041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
041Optical pumping
H01S 5/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
14External cavity lasers
H01S 5/18358
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18358containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
H01S 5/3432
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
34313with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
3432the whole junction comprising only (AI)GaAs
Anmelder
  • LANDESSTIFTUNG BADEN-WÜRTTEMBERG GGMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BRAUCH, Uwe [DE]/[DE] (UsOnly)
  • GIESEN, Adolf [DE]/[DE] (UsOnly)
  • DEMARIA, Frank [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • BRAUCH, Uwe
  • GIESEN, Adolf
  • DEMARIA, Frank
Vertreter
  • HOEGER, STELLRECHT & PARTNER PATENTANWÄLTE
Prioritätsdaten
10 2007 040 369.217.08.2007DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LASERVERSTÄRKERSYSTEM
(EN) LASER AMPLIFICATION SYSTEM
(FR) SYSTÈME AMPLIFICATEUR LASER
Zusammenfassung
(DE)
Um bei einem Laserverstärkersystem umfassend einen Festkörper (10) mit einem laseraktiven Volumenbereich (50), in welchem ein laseraktives Quantenstruktursystem aus Halbleitermaterial angeordnet ist und in welchem das mindestens eine Quantenstruktursystem (60) zwischen beiderseits desselben angeordneten Barrierenstrukturen (64) angeordnet ist, eine Pumpstrahlungsquelle (72) und eine ein Laserverstärkerstrahlungsfeld definierende Verstärkeroptik (40), das mindestens eine Quantenstruktursystem (60) an die Pumpstrahlung (70), als auch an das Laserverstärkerstrahlungsfeld (30) anzukoppeln, wird vorgeschlagen, dass beiderseits des laseraktiven Volumenbereichs (50) jeweils ein Reflektorsystem (42, 46, 48) angeordnet ist, welche das Pumpstrahlungsfeld (30) derart reflektieren, dass sich in dem laseraktiven Volumenbereich ein lokal stehender Pumpstrahlungsintensitätsverlauf ausbildet, welcher in einem mittigen Bereich zwischen den Reflektorsystemen innerhalb des Quantenstruktursystems (60) Intensitätswerte von mindestens 60% des lokal nächstliegenden Intensitäts-Maximums aufweist und dass die Reflektorsysteme (42, 46, 48) das Laserverstärkerstrahlungsfeld (30) derart reflektieren, dass sich ein lokal stehender Verstärkerstrahlungsintensitätsverlauf ausbildet, welcher in dem mittigen Bereich innerhalb desselben mindestens einen Quantenstruktursystems (60) Intensitätswerte von mindestens 60% der lokal nächstliegenden Intensitäts-Maximums aufweist.
(EN)
In order to couple at least one quantum structure system (60) to the pump beam (70) and to the laser amplification beam field (30) in a laser amplification system comprising a solid body (10) having a laser-active volume area (50) in which a laser-active quantum structure system made of semiconductor material is disposed, and in which the at least one quantum structure system (60) is disposed between barrier structures (64) disposed on both sides of the same, and comprising a pump beam source (72), and comprising an amplification optic (40) defining a laser amplification beam field, the invention proposes that a reflector system (42, 46, 48) be disposed on each side of the laser-active volume area (5), reflecting the pump beam field (30) such that a locally static pump beam intensity gradient is formed in the laser-active volume area, having intensity values in a center area between the reflector systems within the quantum structure system (60) of at least 60% of the nearest local intensity maximum, and that the reflector systems (42, 46, 48) reflect the laser amplification beam field (30) such that a locally static amplifier beam intensity gradient is formed, having intensity values in the center area within the same at least one quantum structure system (60) of at least 60% of the nearest local intensity maximum.
(FR)
L'invention concerne un système amplificateur laser comprenant : un corps solide (10) doté d'une zone volumique à activité laser (50), dans laquelle est disposé un système à structure quantique à activité laser en matériau semi-conducteur et dans laquelle ledit au moins un système à structure quantique (60) est disposé entre des structures barrières (64) disposées de part et d'autre dudit système; une source de rayonnement de pompage (72); et une optique amplificatrice (40) définissant un champ de rayonnement d'amplificateur laser. L'invention vise à coupler le ou les systèmes à structure quantique (60) à la fois au rayonnement de pompage (70) et au champ (30) de rayonnement d'amplificateur laser. A cet effet, un système réflecteur respectif (42, 46, 48) est disposé de part et d'autre de la zone volumique à activité laser (50), ces systèmes réfléchissant le champ de rayonnement de pompage (70) de telle sorte que se forme, dans la zone volumique à activité laser, un profil d'intensité de rayonnement de pompage localement stationnaire qui présente, dans une zone médiane entre les systèmes réflecteurs à l'intérieur du système à structure quantique (60), des valeurs d'intensité égales à au moins 60% du maximum d'intensité localement le plus proche; et les systèmes réflecteurs (42, 46, 48) réfléchissent le champ (30) de rayonnement d'amplificateur laser de telle sorte que se forme un profil d'intensité de rayonnement d'amplificateur localement stationnaire qui présente, dans la zone médiane à l'intérieur dudit au moins un système à structure quantique (60), des valeurs d'intensité égales à au moins 60% du maximum d'intensité localement le plus proche.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten