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1. WO2008138609 - REFLEKTIV BESCHICHTETES HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG SOWIE DESSEN VERWENDUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2008/138609
Veröffentlichungsdatum 20.11.2008
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2008/003877
Internationales Anmeldedatum 14.05.2008
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 03.02.2009
IPC
H01L 31/0216 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0216Beschichtungen, Überzüge
H01L 31/0232 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0232Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind
H01L 31/052 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen
052Mittel zur Kühlung, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. integrierte Peltier-Elemente für die aktive Kühlung oder direkt mit den PV-Zellen verbundene Wärmesenken
CPC
H01L 31/02165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02162for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
02165using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 31/02327
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
02327the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
H01L 31/056
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
056the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
Y02E 10/52
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
52PV systems with concentrators
Anmelder
  • FRAUHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
  • JANZ, Stefan [AT/DE]; DE (UsOnly)
  • REBER, Stefan [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • JANZ, Stefan; DE
  • REBER, Stefan; DE
Vertreter
  • PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Patent- und Rechtsanwälte Theresienhöhe 13 80339 München, DE
Prioritätsdaten
07009628.414.05.2007EP
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) REFLEKTIV BESCHICHTETES HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG SOWIE DESSEN VERWENDUNG
(EN) REFLECTIVELY COATED SEMICONDUCTOR COMPONENT METHOD FOR PRODUCTION AND USE THEREOF
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR À COUCHE DE RÉFLEXION, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET UTILISATION ASSOCIÉS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein reflektiv beschichtetes Halbleiterbauelement, das eine Halbleiterschicht, eine funktionale, im Wesentlichen aus Silicium und Kohlenstoff bestehende Schicht (2), und mindestens eine weitere, im Wesentlichen aus Silicium und Kohlenstoff bestehende Schicht (5), aufweist. Diese weitere Schicht fungiert als Reflektor für auf das Halbleiterbauelement fallendes Licht. Ebenso betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung derartiger Halbleiterbauelemente. Verwendung finden die Halbleiterbauelemente insbesondere als Solarzellen bzw. als Bestandteil von Sensoren oder optischen Filtern.
(EN)
The invention relates to a reflectively coated semiconductor component, with a semiconductor layer, a functional layer (2) essentially made from silicon and carbon and at least one further layer (5) essentially made from silicon and carbon. Said further layer functions as reflector for light incident on the semiconductor component. The invention further relates to a method for producing such semiconductor components. Said semiconductor components are used, in particular, as solar cells or as components in sensors or optical filters.
(FR)
L'invention concerne un composant semiconducteur à couche de réflexion, comportant une couche semiconductrice, une couche fonctionnelle composée sensiblement de silicium et de carbone et au moins une autre couche composée sensiblement de silicium et de carbone, laquelle sert de réflecteur pour la lumière incidente sur le composant semiconducteur. L'invention porte également sur un procédé de fabrication de composants semiconducteurs de ce type, qui sont utilisés notamment comme cellules solaires ou bien comme éléments de capteurs ou de filtres optiques.
Auch veröffentlicht als
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