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1. WO2008135516 - GASVERSORGUNGSSYSTEM UND VERFAHREN ZUR BEREITSTELLUNG EINES GASFÖRMIGEN ABSCHEIDUNGSMEDIUMS

Veröffentlichungsnummer WO/2008/135516
Veröffentlichungsdatum 13.11.2008
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2008/055385
Internationales Anmeldedatum 30.04.2008
IPC
C23C 16/448 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
448gekennzeichnet durch das Verfahren zum Erzeugen von Reaktionsgasströmen, z.B. durch Verdampfung oder Sublimation von Vorläufermaterialien
C23C 16/455 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
455gekennzeichnet durch das Verfahren zum Einführen von Gasen in den Reaktionsraum oder zum Modifizieren von Gasströmungen im Reaktionsraum
CPC
C23C 16/4485
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
448characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
4485by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
C23C 16/455
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
C23C 16/45561
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
Anmelder
  • STEIN, Ralf [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
  • NÖLL, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KLEYER, Tobias [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • NÖLL, Oliver; DE
  • KLEYER, Tobias; DE
Vertreter
  • STORZ, Ulrich; Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte Zusammenschluss-Nr. 289 Neuer Zollhof 2 40221 Düsseldorf, DE
Prioritätsdaten
10 2007 020 852.002.05.2007DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) GASVERSORGUNGSSYSTEM UND VERFAHREN ZUR BEREITSTELLUNG EINES GASFÖRMIGEN ABSCHEIDUNGSMEDIUMS
(EN) GAS SUPPLY SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A GASEOUS DEPOSITION MEDIUM
(FR) SYSTÈME D'ALIMENTATION EN GAZ ET PROCÉDÉ DE MISE À DISPOSITION D'UN AGENT DE DÉPÔT GAZEUX
Zusammenfassung
(DE)
Ein Gasversorgungssystem für eine Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer (48), insbesondere für eine CVD-Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer oder für eine PECVD-Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer, weist eine Gasversorgungseinrichtung (10) auf, wobei die Gasversorgungseinrichtung mindestens ein Heizelement (16) zum Erwärmen eines Abscheidungsmediums (20) und zur Überführung des Abscheidungsmediums in die Gasphase aufweist. Ferner weist das Gasversorgungssystem eine Gaszufuhreinrichtung zum Transport des gasförmigen Abscheidungsmediums von der Gasversorgungseinrichtung in die Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer auf, wobei die Gaszufuhreinrichtung am Übergang zur Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer ein Abdichtungselement (40) aufweist. Dadurch ist es möglich, ein Gasversorgungssystem für eine Gasphasenabscheidungs-Reaktionskammer zur Verfügung zu stellen, welches auch bei Abscheidungsmedien, die bei Raumtemperatur nicht im gasförmigen Zustand vorliegen, eine homogene Einspeisung in die Reaktionskammer ermöglicht.
(EN)
A gas supply system for a gas phase deposition reaction chamber (48), in particular a CVD gas phase deposition reaction chamber or a PECVD gas phase deposition reaction chamber, comprises a gas supply device (10) which has at least one heating element (16) for heating a deposition medium (20) and transferring the deposition medium into the gaseous phase. Furthermore, the gas supply system comprises a gas feeding device for transporting the gaseous deposition medium from the gas supply device to the gas phase deposition reaction chamber, wherein the gas feeding device comprises a sealing element (40) at the transition to the gas phase deposition reaction chamber. As a result, it is possible to provide a gas supply system for a gas phase deposition reaction chamber allowing a homogeneous feeding of even deposition media which are not present in gaseous form at room temperature into the reaction chamber.
(FR)
La présente invention concerne un système d'alimentation en gaz destiné à une chambre réactionnelle de dépôt en phase gazeuse, en particulier à une chambre réactionnelle de dépôt chimique en phase vapeur ou une chambre réactionnelle de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma. Ledit système présente un dispositif d'alimentation en gaz qui présente au moins un élément chauffant destiné à chauffer un agent de dépôt et à le faire passer dans la phase gazeuse. Le système d'alimentation en gaz présente également un dispositif d'amenée de gaz destiné au transport de l'agent de dépôt gazeux du dispositif d'alimentation en gaz à la chambre réactionnelle de dépôt en phase gazeuse, le dispositif d'amenée de gaz présentant un élément d'étanchéité au niveau de la transition vers la chambre réactionnelle de dépôt en phase gazeuse. Cela rend possible la mise à disposition d'un système d'alimentation en gaz pour chambre réactionnelle de dépôt en phase gazeuse qui permet une alimentation homogène de la chambre réactionnelle même lorsqu'il s'agit d'agents de dépôt qui ne se trouvent pas à l'état gazeux à température ambiante.
Auch veröffentlicht als
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