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1. WO2008101494 - VORRICHTUNG ZUR LASERPULSABSCHEIDUNG (PLD) VON SCHICHTEN AUF SUBSTRATE

Veröffentlichungsnummer WO/2008/101494
Veröffentlichungsdatum 28.08.2008
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2008/000338
Internationales Anmeldedatum 22.02.2008
IPC
C23C 14/28 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
24Vakuumbedampfen
28durch Wellenenergie oder Teilchenbestrahlung
C23C 14/58 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
58Nachbehandlung
CPC
C23C 14/022
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
02Pretreatment of the material to be coated
021Cleaning or etching treatments
022by means of bombardment with energetic particles or radiation
C23C 14/046
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
046Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
C23C 14/0605
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
0605Carbon
C23C 14/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
24Vacuum evaporation
28by wave energy or particle radiation
C23C 14/505
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
50Substrate holders
505for rotation of the substrates
C23C 14/547
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
542Controlling the film thickness or evaporation rate
545using measurement on deposited material
547using optical methods
Anmelder
  • LASERINSTITUT MITTELSACHSEN E.V. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • REISSE, Günter [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WEISSMANTEL, Steffen [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ROST, Dirk [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • REISSE, Günter
  • WEISSMANTEL, Steffen
  • ROST, Dirk
Vertreter
  • KRAUSE, Wolfgang
Prioritätsdaten
10 2007 009 487.822.02.2007DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VORRICHTUNG ZUR LASERPULSABSCHEIDUNG (PLD) VON SCHICHTEN AUF SUBSTRATE
(EN) APPARATUS FOR THE PULSED LASER DEPOSITION (PLD) OF LAYERS ON SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT PAR IMPULSION LASER (PLD) DE COUCHES SUR DES SUBSTRATS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft Vorrichtungen zur Laserpulsabscheidung (PLD) von Schichten, vorzugsweise von diamantartigen Kohlenstoffschichten (DLC Schichten) mit über- wiegend tetraedrischen Bindungen (ta-C Schichten) und von kubischen Bornitridschichten (c-BN Schichten), auf Substrate mit Einrichtungen zur Vakuumerzeugung, mit mindestens einer Einrichtung zur Ionenstrahl- oder Plasmaerzeugung, mit Lasern mit Vorrichtungen zur Führung, Formung, Fokussierung und zum Scannen von Laserstrahlen und mit wenigstens einer Transportvorrichtung für wenigstens einen Carrier. Diese zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass die Schichten vorwiegend spannungsfrei erzeugt werden können. Dazu sind jeweils mindestens eine Beschickmigs-/Vorbehandlungskammer, eine Beschichtungskammer und eine Entnahmekammer nacheinander angeordnet, jeweils über eine Einrichtung zur Vakuumerzeugung separat bis auf Hochvakuum evakuierbar sowie separat belüftbar und durch Vakuumschleusen voneinander getrennt, wobei jeweils wenigstens ein Carrier mit mindestens einem Substrathalter zur Aufnahme von wenigstens einem Substrat mittels der Transportvorrichtung bei geöffneter Vakuumschleuse von Kammer zu Kammer bewegbar ist.
(EN)
The invention relates to apparatuses for the pulsed laser deposition (PLD) of layers, preferably of diamond-like carbon layers (DLC layers) having predominantly tetrahedral bonds (ta-C layers) and of cubic boron nitride layers (c-BN layers), on substrates using devices for generating a vacuum, comprising at least one device for ion beam or plasma generation, using lasers having devices for guiding, shaping, focusing and scanning laser beams, and at least one transport device for at least one carrier. These apparatuses are characterized particularly in that the layers can be produced predominantly without stress. For this purpose, at least one coating/pretreatment chamber, a coating chamber, and a removal chamber are disposed consecutively, which can each be separately evacuated up to high vacuum by means of a device for creating a vacuum, and can be separately vented, and are separated from each other by means of vacuum locks, wherein at least one carrier each comprising at least one substrate holder for receiving at least one substrate can be moved from chamber to chamber by means of the transport device when the vacuum lock is open.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs de dépôt par impulsion laser (PLD) de couches de carbone de type diamant (couches DLC) principalement à liaisons tétraédriques (couches ta-C) et de couches de nitrure de bore cubiques (couches c-BN), sur des substrats, au moyen de dispositifs générateurs de vide, d'au moins un dispositif de production d'une faisceau d'ions ou de plasma, de lasers, de dispositifs de guidage, de formage, de focalisation et de scannage de faisceaux laser et d'au moins un dispositif de transport pour au moins un support. Ces dispositifs sont remarquables notamment du fait que les couches peuvent être produites sensiblement sans tension. A cet effet, il est prévu au moins une chambre de chargement/prétraitement, une chambre de revêtement et une chambre de prélèvement, disposées en série, chacune via un dispositif générateur de vide, avec possibilité de faire le vide séparément, à l'exception d'un vide élevé, séparément ventilables, et séparées les unes des autres par des sas à vide, cependant qu'au moins un support ayant au moins un porte-substrat destiné à recevoir au moins un substrat, est déplaçable d'une chambre à l'autre, au moyen du dispositif de transport, lors de l'ouverture du sas à vide.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten