Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2008090023) ELEKTRONISCHES BAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2008/090023 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2008/050199
Veröffentlichungsdatum: 31.07.2008 Internationales Anmeldedatum: 09.01.2008
IPC:
H01L 23/482 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,G01V 1/28 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
482
bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28
Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40
Elektroden
43
gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen
49
Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden
G Physik
01
Messen; Prüfen
V
Geophysik; Gravitationsmessungen; Aufspüren von Massen oder Gegenständen; Objektmarkierungen
1
Seismologie [Seismik]; Seismisches oder akustisches Prospektieren oder Aufspüren
28
Verarbeiten seismischer Daten, z.B. zur Analyse, zum Auswerten, zum Korrigieren
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
FIX, Richard [DE/DE]; DE (UsOnly)
WOLST, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
MARTIN, Alexander [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
FIX, Richard; DE
WOLST, Oliver; DE
MARTIN, Alexander; DE
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Prioritätsdaten:
10 2007 003 541.324.01.2007DE
Titel (DE) ELEKTRONISCHES BAUTEIL
(EN) ELECTRONIC COMPONENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Elektronisches Bauteil mit einer metallischen Schicht (9) auf einem Substrat (3) aus einem Halbleitermaterial, wobei zwischen der metallischen Schicht (9) und dem Substrat (3) eine Diffusionssperrschicht (7) ausgebildet ist, die aus einem Material gefertigt ist, das einen kleinen Diffusionskoeffizienten für das Metall der metallischen Schicht (9) aufweist.
(EN) The invention relates to an electronic component having a metallic layer (9) on a substrate (3) made of a semiconductor material, wherein between the metallic layer (9) and the substrate (3) a diffusion barrier layer (7) is formed, which is made of a material having a small diffusion coefficient for the metal of the metallic layer (9).
(FR) L'invention concerne un élément électronique comprenant une couche métallique (9) sur un substrat (3) constitué d'un matériau semi-conducteur, une couche barrière de diffusion (7) étant formée entre la couche métallique (9) et le substrat (3), celle-ci étant fabriquée à partir d'un matériel présentant un faible coefficient de diffusion pour le métal de la couche métallique (9).
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP2113131JP2010517280US20100072621CN101589466