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1. (WO2008089733) ÄTZLÖSUNG UND ÄTZVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2008/089733 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2008/000099
Veröffentlichungsdatum: 31.07.2008 Internationales Anmeldedatum: 22.01.2008
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
Anmelder:
GP SOLAR GMBH; Turmstrasse 22 78467 Konstanz, DE (AllExceptUS)
FATH, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
MELNYK, Ihor; DE (UsOnly)
Erfinder:
FATH, Peter; DE
MELNYK, Ihor; DE
Vertreter:
GEIGER, Patric; Heyerhoff & Geiger Heiligenbreite 19 88662 Überlingen, DE
Prioritätsdaten:
10 2007 004 060.322.01.2007DE
Titel (DE) ÄTZLÖSUNG UND ÄTZVERFAHREN
(EN) ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD
(FR) SOLUTION DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
Zusammenfassung:
(DE) Ätzlösung (1), aufweisend Wasser, Salpetersäure, Flusssäure, und Schwefelsäure, welche 15 bis 40 Gewichtsprozent Salpetersäure, 10 bis 41 Gewichtsprozent Schwefelsäure und 0,8 bis 2,0 Gewichtsprozent Flusssäure enthält, Verwendung dieser Ätzlösung zum Ätzen von Silizium sowie Ätzverfahren für Siliziumscheiben.
(EN) The invention relates to an etching solution (1) comprising water, nitric acid, hydrofluoric acid, and sulphuric acid, containing 15 to 40% by weight of nitric acid, 10 to 41% by weight of sulphuric acid and 0.8 to 2.0% by weight of hydrofluoric acid. The invention also relates to the use of said etching solution for etching silicon and to etching methods for silicon wafers.
(FR) Solution de gravure (1) qui contient de l'eau, de l'acide nitrique, de l'acide fluorhydrique et de l'acide sulfurique, à raison de 15 à 40 pour cent en poids d'acide nitrique, de 10 à 41 pour cent en poids d'acide sulfurique et de 0,8 à 2,0 pour cent en poids d'acide fluorhydrique. La présente invention concerne également l'utilisation de cette solution pour la gravure de silicium, ainsi que des procédés de gravure pour des tranches de silicium.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
KR1020090127129EP2126967US20100120248CN101622697IN2031/KOLNP/2009