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1. (WO2008077581) INTEGRIERTE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2008/077581 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2007/011271
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2008 Internationales Anmeldedatum: 20.12.2007
IPC:
H01H 59/00 (2006.01) ,H01P 1/12 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
H
Elektrische Schalter; Relais; Wählschalter; Schutzvorrichtungen [Sicherungen] für Not- oder Störungsfälle
59
Elektrostatische Relais; Elektroadhäsionsrelais
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
P
Wellenleiter [Hohlleiter]; Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps
1
Hilfseinrichtungen
10
zum Schalten oder Unterbrechen
12
durch mechanische Zerhacker
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
C
Verfahren oder Geräte besonders ausgebildet zur Herstellung oder Behandlung von Mikrostrukturbauelementen oder -systemen
1
Herstellung oder Behandlung von Bauelementen oder Systemen in oder auf einem Substrat
Anmelder:
ATMEL GERMANY GMBH [DE/DE]; Theresienstr. 2 74072 Heilbronn, DE (AllExceptUS)
EADS DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Patentabteilung LG-SP2 Forschung 81633 München, DE (AllExceptUS)
WÜRTZ, Alida [DE/DE]; DE (UsOnly)
ZIEGLER, Volker [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHMID, Ulrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
WÜRTZ, Alida; DE
ZIEGLER, Volker; DE
SCHMID, Ulrich; DE
Vertreter:
MÜLLER, Wolf-Christian; Koch Müller Patentanwaltsgesellschaft mbH Maassstrasse 32/1 69123 Heidelberg, DE
Prioritätsdaten:
10 2006 061 386.423.12.2006DE
Titel (DE) INTEGRIERTE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) INTEGRATED ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Zusammenfassung:
(DE) Integrierte Anordnung mit einem Schaltkreis und einem MEMS-Schaltelement (500) - bei der der Schaltkreis eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (400) aufweist, die über metallische Leitbahnen (101...104, 201...204, 301...304) in mehreren übereinander angeordneten Metallisierungsebenen (100, 200, 300) miteinander zur Ausbildung des Schaltkreises verbunden sind, - bei der die Metallisierungsebenen (100, 200, 300) zwischen dem MEMS-Schaltelement (500) und den Halbleiterbauelementen (400) ausgebildet sind, so dass das MEMS-Schaltelement (500) oberhalb der obersten Metallisierungsebene (300) ausgebildet ist, - bei der das MEMS-Schaltelement (500) beweglich ausgebildet ist, - das MEMS-Schaltelement (500) positioniert zu einem Dielektrikum (26) ausgebildet ist, so dass das bewegliche MEMS-Schaltelement (500) und das Dielektrikum (26) eine veränderbare Impedanz (für ein Hochfrequenzsignal) bilden, und - bei der in der obersten Metallisierungsebene (300) eine zum MEMS-Schaltelement (500) positionierte Antriebselektrode (303) zur Erzeugung einer elektrostatischen Kraft zur Bewegung des MEMS-Schaltelements (500) ausgebildet ist.
(EN) Integrated arrangement with a circuit and a MEMS circuit element (500), wherein the circuit has a plurality of semiconductor components (400) which are interconnected via metallic conductor tracks (101...104, 201...204, 301...304) in multiple metallization layers (100, 200, 300) arranged one on top of another to form the circuit, wherein the metallization layers (100, 200, 300) are formed between the MEMS circuit element (500) and the semiconductor components (400) in such a way that the MEMS circuit element (500) lies above the topmost metallization layer (300), wherein the MEMS circuit element (500) is movable, wherein the MEMS circuit element (500) is positioned relative to a dielectric (26) in such a way that the movable MEMS circuit element (500) and the dielectric (26) form a variable impedance (for a high-frequency signal), and wherein a driver electrode (303) positioned relative to the MEMS circuit element (500) in the topmost metallization layer (300) is designed to generate an electrostatic force for moving the MEMS circuit element (500).
(FR) L'invention concerne un dispositif intégré comprenant un circuit de commutation et un élément de commutation MEMS (500), avec lequel le circuit de commutation présente une pluralité de composants à semi-conducteurs (400) qui sont reliés ensembles par l'intermédiaire de pistes conductrices métalliques (101… 104, 201…204, 301…304) sur plusieurs plans de métallisation disposés les uns au-dessus des autres (100, 200, 300) pour former le circuit de commutation. Les plans de métallisation (100, 200, 300) sont formés entre l'élément de commutation MEMS (500) et les composants à semi-conducteurs (400), de sorte que l'élément de commutation MEMS (500) est formé au-dessus du plan de métallisation supérieur (300), l'élément de commutation MEMS (500) étant réalisé de manière mobile. L'élément de commutation MEMS (500) est réalisé de manière à être positionné par rapport à un diélectrique (26), de sorte que l'élément de commutation MEMS mobile (500) et le diélectrique (26) forment une impédance variable (pour un signal de haute fréquence). Dans le plan de métallisation supérieur (300), on forme une électrode de commande (303) positionnée par rapport à l'élément de commutation MEMS (500) afin de générer une force électrostatique pour faire bouger l'élément de commutation MEMS (500).
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Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)