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1. (WO2008077386) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINDIMENSIONALER KOAXIALER Ge/SiCxNy-HETEROSTRUKTUREN, DERARTIGE STRUKTUR UND VERWENDUNG DER STRUKTUR
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Veröff.-Nr.: WO/2008/077386 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2007/002299
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2008 Internationales Anmeldedatum: 20.12.2007
IPC:
C30B 29/08 (2006.01) ,C30B 29/60 (2006.01) ,C30B 25/00 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29
Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
02
Elemente
08
Germanium
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29
Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
60
gekennzeichnet durch die Form
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25
Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
Anmelder:
LEIBNIZ-INSTITUT FÜR NEUE MATERIALIEN GEMEINNÜTZIGE GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG [DE/DE]; Campus D2 2 66123 Saarbrücken, DE (AllExceptUS)
DONIA, Nicole [DE/DE]; DE (UsOnly)
MATHUR, Sanjay [IN/DE]; DE (UsOnly)
SHEN, Hao [CN/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
DONIA, Nicole; DE
MATHUR, Sanjay; DE
SHEN, Hao; DE
Vertreter:
VIEL, Christof; Vièl & Wieske Postfach 65 04 03 66143 Saarbrücken, DE
Prioritätsdaten:
10 2006 062 289.827.12.2006DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINDIMENSIONALER KOAXIALER Ge/SiCxNy-HETEROSTRUKTUREN, DERARTIGE STRUKTUR UND VERWENDUNG DER STRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING ONE-DIMENSIONAL COAXIAL Ge/SiCxNy HETEROSTRUCTURES, CORRESPONDING STRUCTURE AND USE OF SAID STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'HÉTÉROSTRUCTURES GE/SICXNY COAXIALES UNIDIMENSIONNELLES, STRUCTURE CORRESPONDANTE ET SON UTILISATION
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eindimensionaler (1-D) koaxialer Ge/SiCxNy-Heterostrukturen, eine derartige Struktur und die Verwendung der Struktur. Um ein Verfahren zum Herstellen eindimensionaler koaxialer Ge/SiCxNy-Heterostrukturen zu schaffen, wird im Rahmen der Erfindung vorgeschlagen, dass in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) der Precursor Ge[N(SiMe3)]2 oder Homologe verwendet werden. Auf diese Weise wurde es erstmals möglich, einkristalline Germanium-Nanowires mit chemisch und mechanisch stabiler Schale aus SiCxNy zu schaffen. Der einstufige Prozess beruht auf molekülbasierter CVD mittels Ge[N(SiMe3)]2 als Precursor und erlaubt die direkte Herstellung von koaxialen Ge/SiCxNy Heterostrukturen.
(EN) The invention relates to a method for producing one-dimensional (1D) coaxial Ge/SiCxNy heterostructures, to a corresponding structure and to the use of said structure. The aim of the invention is to provide a method for producing one-dimensional coaxial Ge/SiCxNy heterostructures. To achieve this aim, the precursor Ge[N(SiMe3)]2 or homologues thereof are used in chemical vapor deposition (CVD). The invention allows for the first time monocrystalline germanium nanowires having a chemically and mechanically stable shell of SiCxNy to be produced. The one-step process according to the invention is based on molecule-based CVD using Ge[N(SiMe3)]2 as the precursor and allows the direct production of coaxial Ge/SiCxNy heterostructures.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de produire des hétérostructures Ge/SiCxNy coaxiales unidimensionnelles (1D), une structure correspondante et son utilisation. Pour mettre au point un procédé de production d'hétérostructures Ge/SiCxNy coaxiales unidimensionnelles, il est prévu, dans le cadre de l'invention, d'utiliser dans le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le précurseur Ge[N(SiMe3)]2 ou des homologues. L'invention permet ainsi d'obtenir pour la première fois des nanofils de germanium monocristallin avec une enveloppe en SiCxNy chimiquement et mécaniquement stable. Le processus à une seule étape est fondé sur le dépôt chimique en phase vapeur sur base moléculaire avec du Ge[N(SiMe3)]2 comme précurseur et permet de produire directement des hétérostructures de Ge/SiCxNy coaxiales.
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Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)