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1. (WO2008022820) PHOTODETEKTOR SOWIE VERWENDUNG DES PHOTODETEKTORS IN EINEM RÖNTGENKONTROLLSYSTEM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/022820    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2007/055215
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2008 Internationales Anmeldedatum: 30.05.2007
IPC:
G01T 1/20 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
FÜRST, Jens [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FÜRST, Jens; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 039 785.1 24.08.2006 DE
Titel (DE) PHOTODETEKTOR SOWIE VERWENDUNG DES PHOTODETEKTORS IN EINEM RÖNTGENKONTROLLSYSTEM
(EN) PHOTODETECTOR AND USE OF THE PHOTODETECTOR IN AN X-RAY CONTROL SYSTEM
(FR) photodétecteur et utilisation du photodétecteur dans un système de contrôle de rayons X
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Photodetektor mit mehreren Pixeln, wobei die einzelnen Pixelelemente auf einem Trägersubstrat (1) aufgebracht sind, wobei das Trägersubstrat (1) an den Pixelpositionen Löcher (2) aufweist, die mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt sind, wobei auf das Trägersubstrat (1) eine entsprechend den Pixeln strukturierte Schicht einer ersten Elektrode (3) der einzelnen Photodioden der Pixel des Photodetektors aufgebracht ist, wobei darüber wenigstens eine organische Halbleiterschicht (4, 6) aufgebracht ist, wobei darüber die zweite Elektrode (5) aufgebracht ist. Ebenso betrifft die Erfindung die Verwendung des Photodetektors in einem Röntgenkontrollsystem.
(EN)The invention relates to a photodetector with a plurality of pixels wherein the individual pixel elements are applied on a carrier substrate (1) wherein the carrier substrate (1) has at the pixel positions holes (2) filled with an electrically conductive material, wherein a layer - structured in accordance with the pixels - of a first electrode (3) of the individual photodiodes of the pixels of the photodetector is applied to the carrier substrate (1), wherein at least one organic semiconductor layer (4, 6) is applied over that, wherein the second electrode (5) is applied over that. The invention likewise relates to the use of the photodetector in an X-ray control system.
(FR)L'invention concerne un photodétecteur qui présente plusieurs pixels. Les différents éléments de pixels sont appliqués sur un substrat porteur (1) et le substrat porteur (1) présente à l'emplacement des pixels des trous (2) remplis d'un matériau électriquement conducteur. Une couche, structurée d'une manière qui correspond aux pixels, d'une première électrode (3) des différentes photodiodes des pixels du photodétecteur est appliquée sur le substrat porteur (1) et au moins une couche (4, 6) de semi-conducteur organique est appliquée par-dessus. La deuxième électrode (5) est ensuite appliquée par-dessus. L'invention concerne également l'utilisation du photodétecteur dans un système de contrôle de rayons X.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)