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1. (WO2008022680) BELEUCHTUNGSSYSTEM FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/022680    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2007/006463
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2008 Internationales Anmeldedatum: 20.07.2007
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), H05H 7/04 (2006.01)
Anmelder: CARL ZEISS SMT AG [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2, 73447 Oberkochen (DE) (For All Designated States Except US).
GRUNER, Toralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TOTZECK, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GRUNER, Toralf; (DE).
TOTZECK, Michael; (DE)
Vertreter: HOFMANN, Matthias; Königstrasse 2, 90402 Nürnberg (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 039 655.3 24.08.2006 DE
Titel (DE) BELEUCHTUNGSSYSTEM FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
(EN) ILLUMINATION SYSTEM FOR A MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
(FR) SYSTÈME D'ÉCLAIRAGE POUR UNE INSTALLATION D'EXPOSITION PAR PROJECTION MICROLITHOGRAPHIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Beleuchtungssystem (6) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat eine EUV-Lichtquelle (7), die einen Ausgabestrahl (13) linear polarisierten EUV-Beleuchtungslichts erzeugt. Eine Beleuchtungsoptik (24, 25, 31, 37) führt den Ausgabestrahl (13) längs einer optischen Achse (20), wodurch ein Beleuchtungsfeld in einer Retikelebene (2) mit dem Ausgabestrahl (13) beleuchtet wird. Eine mindestens die EUV-Lichtquelle (7) umfassende Beleuchtungs-Untereinheit (7) des Beleuchtungssystems (6) hat eine Polarisations-Einstelleinrichtung (15, 18) zur Vorgabe einer definierten Polarisation des EUV-Ausgabestrahls (13) der Beleuchtungs-Untereinheit (7). Es resultiert ein Beleuchtungssystem, das flexibel an Polarisationsanforderungen der Anlage sowie der auf das Substrat bzw. den Wafer zu projizierenden Struktur angepasst werden kann.
(EN)An illumination system (6) for a microlithography projection exposure apparatus (1) has an EUV light source (7), which generates an output beam (13) of linearly polarized EUV illumination light. An illumination optical unit (24, 25, 31, 37) guides the output beam (13) along an optical axis (20), whereby an illumination field in a reticle plane (2) is illuminated with the output beam (13). An illumination subunit (7) - comprising at least the EUV light source (7) - of the illumination system (6) has a polarization setting device (15, 18) for predetermining a defined polarization of the EUV output beam (13) of the illumination subunit (7). This results in an illumination system which can be flexibly adapted to polarization requirements of the apparatus and the structure to be projected onto the substrate or the wafer.
(FR)Le système d'éclairage (6) selon l'invention pour une installation d'exposition par projection microlithographique (1) comporte une source de lumière EUV (7) qui produit un faisceau d'émission (13) de lumière d'éclairage EUV polarisée linéaire. Une optique d'éclairage (24, 25, 31, 37) dirige le faisceau d'émission (13) le long d'un axe optique (20), permettant d'éclairer un champ d'éclairage dans un plan de réticule (2) avec le faisceau d'émission (13). Une sous-unité d'éclairage (7) du système d'éclairage (6) comprenant au moins la source de lumière EUV (7) comporte un module de réglage de polarisation (15, 18) pour appliquer une polarisation définie au faisceau d'émission EUV (13) de la sous-unité d'éclairage (7). Il en résulte un système d'éclairage qui peut être adapté de façon flexible aux exigences de polarisation de l'installation ainsi qu'à la structure à projeter sur le substrat et/ou la plaquette.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)