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1. (WO2008017172) VERFAHREN ZUR FRAGMENTIERUNG VON MATERIAL MITTELS HOCHSPANNUNGSENTLADUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/017172    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/CH2007/000292
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2008 Internationales Anmeldedatum: 11.06.2007
IPC:
B02C 19/18 (2006.01)
Anmelder: SELFRAG AG [CH/CH]; Biberenzelgli 18, 3210 Kerzers (CH) (For All Designated States Except US).
HOPPE, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SINGER, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GIESE, Harald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEBER, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HOPPE, Peter; (DE).
SINGER, Josef; (DE).
GIESE, Harald; (DE).
LEBER, Klaus; (DE)
Vertreter: E. BLUM & CO. AG; Vorderberg 11, CH-8044 Zürich (CH)
Prioritätsdaten:
10 2006 037 914.4 11.08.2006 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR FRAGMENTIERUNG VON MATERIAL MITTELS HOCHSPANNUNGSENTLADUNGEN
(EN) METHOD FOR FRAGMENTING MATERIAL BY MEANS OF HIGH-VOLTAGE DISCHARGES
(FR) PROCÉDÉ DE FRAGMENTATION DE MATÉRIAU AU MOYEN DE DÉCHARGES À HAUTE TENSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Prozessbehälter zum Fragmentieren von Material mittels Hochspannungsentladungen mit einem Prozessraum (1), in welchem sich die blanken Stirnseiten einer oberen (2) und einer unteren Elektrode (3) mit einem Elektrodenabstand (EA) zwecks Bildung einer Hochspannungsentladungsstrecke gegenüberstehen. Die Begrenzungswandungen (4) des Prozessraumes (1) sind in dem die Hochspannungsentladungsstrecke umgebenden Bereich elektrisch isolierend ausgebildet und umgeben diesen Bereich vom kürzesten Entladungspfad aus gemessen mit einem Abstand (A) kleiner dem Anderthalbfachen des Elektrodenabstands (EA). Ein solcher Prozessbehälter ermöglicht einen guten energetischen Wirkungsgrad des Fragmentierungsprozesses und ermöglicht zudem auch die Fragmentierung von sehr festen Materialien.
(EN)The invention relates to a process container for fragmenting material by means of high-voltage discharges with a process space (1), in which the bare end sides of an upper (2) and a lower electrode (3) are positioned opposite one another with an electrode spacing (EA) for the purpose of forming a high-voltage discharge gap. The boundary walls (4) of the process space (1) are designed to be electrically insulating in the region surrounding the high-voltage discharge gap and surround this region, when measured from the shortest discharge path, at a spacing (A) of less than one and a half times the electrode spacing (EA). Such a process container allows for good energetic efficiency of the fragmentation process and in addition also makes possible the fragmentation of very solid materials.
(FR)L'invention concerne un récipient de traitement servant à fragmenter un matériau au moyen de décharges à haute tension et comprenant une chambre de traitement (1) dans laquelle les faces frontales nues d'une électrode supérieure (2) et d'une électrode inférieure (3) de font face avec un écart entre les électrodes (EA) servant à créer un trajet de décharge à haute tension. Les parois de délimitation (4) de la chambre de traitement (1) sont constituées de façon à être électriquement isolées dans la zone entourant le trajet de décharge à haute tension et elles entourent cette zone du chemin de décharge avec ménagement d'un espace (A) inférieur à une fois et demie l'écart entre électrodes (EA), mesuré à partir du chemin de décharge le plus court. Un tel récipient de traitement permet un bon rendement énergétique du processus de fragmentation et permet en outre la fragmentation de matériaux très durs.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)