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1. (WO2008012098) SILAN FREIE PLASMAGESTÜTZTE CVD-ABSCHEIDUNG VON SILIZIUMNITRID ALS ANTI-REFLEKTIERENDEM FILM UND ZUR WASSERSTOFFPASSIVIERUNG VON AUF SILIZIUMWAFEM AUFGEBAUTEN PHOTOZELLEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/012098    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2007/006665
Veröffentlichungsdatum: 31.01.2008 Internationales Anmeldedatum: 27.07.2007
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Anmelder: REISER, Hans-Peter [DE/DE]; (DE)
Erfinder: REISER, Hans-Peter; (DE)
Vertreter: POHLMANN, Bernd, Michael; Reinhardt & Pohlmann Partnerschaft, Rossmarkt 12, 60311 Frankfurt (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 035 563.6 27.07.2006 DE
Titel (DE) SILAN FREIE PLASMAGESTÜTZTE CVD-ABSCHEIDUNG VON SILIZIUMNITRID ALS ANTI-REFLEKTIERENDEM FILM UND ZUR WASSERSTOFFPASSIVIERUNG VON AUF SILIZIUMWAFEM AUFGEBAUTEN PHOTOZELLEN
(EN) SILANE-FREE PLASMA-ASSISTED CVD DEPOSITION OF SILICON NITRIDE AS AN ANTIREFLECTIVE FILM AND FOR HYDROGEN PASSIVATION OF PHOTOCELLS CONSTRUCTED ON SILICON WAFERS
(FR) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA SANS SILANE DE NITRURE DE SILICIUM EN TANT QUE FILM ANTIRÉFLECTEUR ET POUR LA PASSIVATION HYDROGÈNE DE PHOTOCELLULES EN PLAQUETTES DE SILICIUM
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren um einen anti-reflektierenden Siliziumnitridfilm auf, bei gleichzeitiger Wasserstoffatomdiffusion in, Siliziumwafer basierten Photozellen während eines chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses zu erzeugen, wobei das Verfahren umfasst einen geeigneten Vakuumbehälter für CVD-Prozesse die auf Siliziumwafer basierte Photozellen bei einer geeigneten erhöhten Temperatur enthalten, wenigstens eine elektromagnetische Energiequelle um mindestens eine Plasmaentladung zu bilden, um radikalisierte oder energetisch angeregte Arten aus gasförmigem Ausgangsmaterial zu erzeugen, ein erstes gasförmiges oder dampfförmiges Ausgangsmaterial, das nur Silizium, Wasserstoff, Stickstoff und Kohlenstoff enthält, ein zweites gasförmiges oder dampfförmiges Ausgangsmaterial, das nur Stickstoff und Wasserstoff enthält, ein drittes gasförmiges oder dampfförmiges Ausgangsmaterial, das nur Wasserstoff enthält.
(EN)The invention relates to a method for producing an antireflective silicon nitride film with simultaneous hydrogen atom diffusion in photocells based on silicon wafers during a chemical gas phase deposition process, wherein the method comprises a suitable vacuum chamber for CVD processes which comprise silicon-wafer-based photocells at a suitable increased temperature, at least one electromagnetic energy source to form at least one plasma discharge, to produce radicalized or energetically excited species from gaseous starting material, a first gaseous or vaporous starting material, which comprises only silicon, hydrogen, nitrogen and carbon, a second gaseous or vaporous starting material, which comprises only nitrogen and hydrogen, and a third gaseous or vaporous starting material, which comprises only hydrogen.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'obtenir un film de nitrure de silicium antiréflecteur, sur des cellules à base de plaquettes de silicium, une diffusion d'atomes d'hydrogène ayant lieu simultanément dans ces cellules, pendant un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse chimique. Selon l'invention, le procédé comprend un contenant sous vide approprié pour des procédés de dépôt chimique en phase vapeur qui contiennent des photocellules à base de plaquettes de silicium à une température élevée appropriée, au moins une source d'énergie électromagnétique afin de former au moins une décharge plasma, afin d'obtenir des espèces radicalaires ou excitées énergiquement à partir d'un matériau de départ sous forme de gaz, un premier matériau de départ sous forme de gaz ou de vapeur ne contenant que du silicium, de l'hydrogène, de l'azote et du carbone, un deuxième matériau de départ sous forme de gaz ou de vapeur ne contenant que de l'azote et de l'hydrogène et un troisième matériau de départ sous forme de gaz ou de vapeur ne contenant que de l'hydrogène.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)