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1. (WO2008011897) VERFAHREN ZUM GLÄTTEN VON III-N-SUBSTRATEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/011897    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2006/007413
Veröffentlichungsdatum: 31.01.2008 Internationales Anmeldedatum: 26.07.2006
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Anmelder: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH [DE/DE]; Am Junger Löwe Schacht 5, 09599 Freiberg (DE) (For All Designated States Except US).
HÖLZIG, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEIBIGER, Gunnar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HÖLZIG, Stefan; (DE).
LEIBIGER, Gunnar; (DE)
Vertreter: OSER, Andreas; Prüfer & Partner Gbr, Sohnckestrasse 12, 81479 München (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) VERFAHREN ZUM GLÄTTEN VON III-N-SUBSTRATEN
(EN) METHOD FOR SMOOTHING III-N SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE LISSAGE DE III-N-SUBSTRATS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Herstellen von geglättetem IH-N, insbesondere von geglättetem III-N-Substrat oder III-N-Template, wobei III mindestens ein Element der Gruppe III. des Periodensystems bedeutet, ausgewählt aus Al, Ga und In, wobei ein Glättungsmittel kubisches Bornitrid als abrasives Teilchen umfasst. Dadurch ist es möglich, großflächige III-N-Substrate oder III-N-Templates mit Durchmessern von mindestens 40mm mit einer Homogenität von sehr geringer Oberflächenrauhigkeit über die gesamte Substrat- bzw. Waferoberfläche bereitzustellen. So beträgt bei einem Mapping der Waferoberfläche mit einem Weißlichtinterferometer die Standardabweichung der rms- Werte 5% oder weniger. Diese Eigenschaft ist gleichzeitig erhältlich mit einer sehr guten Kristallqualität an der Oberfläche oder oberflächennaher Bereiche, beispielsweise messbar durch Rockingkurvenmappings und/oder Mikro-Ramanmappings.
(EN)The invention relates to a method for producing smooth III-N, particularly smooth III-N substrate or III-N template, III meaning at least one element from group III of the periodic table selected among Al, Ga, and In. A smoothing means comprises cubic boron nitride as an abrasive particle. Said method makes it possible to create large-area III-N substrates or III-N templates that have a minimum diameter of 40 mm with a homogeneous very low surface roughness across the entire surface of the substrate or wafer. For example, the standard deviation of the rms values is 5 percent or less when the wafer surface is mapped by means of a white light interferometer. Said property can be obtained along with very good crystal quality on the surface or in areas near the surface, said quality being measured by means of rocking curve mapping and/or micro-Raman mapping, for example.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un IH-N-substrat lissé, notamment d'un III-N-substrat ou d'un III-N-gabarit lissé, III représentant au moins un élément du groupe III du système de classification périodique, choisi parmi Al, Ga et In, et un agent de lissage contenant du nitrure de bore cubique en tant que particules abrasives. On peut ainsi préparer des III-N-substrats ou des III-N-gabarits de grande surface ayant des diamètres de 40 mm minimum avec une homogénéité de très faible rugosité superficielle sur l'ensemble de la surface du substrat ou de la tranche. Lorsque la surface de la tranche est soumise à un mappage avec un interféromètre en lumière blanche, on obtient un écart-type des valeurs rms de 5% maximum. Cette propriété est obtenue simultanément à une très bonne qualité cristalline de la surface ou des zones proches de la surface, par exemple mesurable par des mesures en balancement (Rocking curves) et/ou micro-mesures de Raman.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)