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1. (WO2008006785) EINSTUFIGES VERFAHREN ZUR AUFBRINGUNG EINER METALLSCHICHT AUF EIN SUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/006785    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2007/056923
Veröffentlichungsdatum: 17.01.2008 Internationales Anmeldedatum: 09.07.2007
IPC:
C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITÄT BIELEFELD [DE/DE]; Universitätsstrasse 25, 33615 Bielefeld (DE) (For All Designated States Except US).
KOHSE-HÖINGHAUS, Katharina [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BAHLAWANE, Naoufal [FR/DE]; (DE) (For US Only).
PREMKUMAR, Antony [IN/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KOHSE-HÖINGHAUS, Katharina; (DE).
BAHLAWANE, Naoufal; (DE).
PREMKUMAR, Antony; (DE)
Vertreter: MICHALSKI, Stefan; Michalski Hüttermann Patentanwälte GBR, Zusammenschluss-Nr. 289, Neuer Zollhof 2, 40221 Düsseldorf (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 033 037.4 14.07.2006 DE
Titel (DE) EINSTUFIGES VERFAHREN ZUR AUFBRINGUNG EINER METALLSCHICHT AUF EIN SUBSTRAT
(EN) ONE-STEP METHOD FOR APPLYING A METAL LAYER ONTO A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ À UNE ÉTAPE POUR L'APPLICATION D'UNE COUCHE MÉTALLIQUE SUR UN SUBSTRAT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein einstufiges Verfahren zur Aufbringung wenigstens einer Metallschicht auf ein Substrat durch ein Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase, wobei ein Substrat mit einer Metallschicht beschichtet wird, indem man ein Metall aus einer metallenthaltenden Vorläuferverbindung aus einer Gasphase auf dem Substrat abscheidet, wobei man die metallenthaltende Vorläuferverbindung in einem Lösemittel löst, einen organischen Reaktanten zuführt und die metallenthaltende Vorläuferverbindung und den organischen Reaktanten in die Gasphase überführt, wobei mittels des organischen Reaktanten das Metall aus der metallenthaltenden Vorläuferverbindung freigesetzt wird, wobei das freigesetzte Metall auf das Substrat abgeschieden wird.
(EN)The invention relates to a one-step method for applying at least one metal layer onto a substrate by means of a chemical gas phase deposition method. A substrate is coated with a metal layer in that a metal from a metal-containing precursor compound is precipitated from a gas phase onto the substrate, the metal-containing precursor compound is dissolved in a solvent, an organic reactant is added, and the metal-containing precursor compound and the organic reactant are converted into the gas phase, the metal of the metal-containing precursor compound is released by means of the organic reactant and the released metal is deposited onto the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé à une étape pour l'application d'au moins une couche métallique sur un substrat par un procédé de dépôt chimique depuis la phase gazeuse, procédé suivant lequel un substrat est revêtu d'une couche métallique par les opérations consistant à déposer un métal provenant d'un composé précurseur contenant le métal depuis une phase gazeuse sur le substrat, le composé contenant le métal étant dissous dans un solvant, à ajouter un réactif organique et à faire passer le composé précurseur contenant le métal et le réactif organique dans la phase gazeuse, le métal étant libéré du composé précurseur contenant le métal au moyen du réactif organique, le métal libéré se déposant sur le substrat.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)