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1. (WO2008003450) FLÜSSIGKEITSSTRAHLGEFÜHRTES ÄTZVERFAHREN ZUM MATERIALABTRAG AN FESTKÖRPERN SOWIE DESSEN VERWENDUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/003450    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2007/005846
Veröffentlichungsdatum: 10.01.2008 Internationales Anmeldedatum: 02.07.2007
IPC:
B23K 26/40 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
JOHANN WOLFGANG GOETHE-UNIVERSITÄT FRANKFURT AM MAIN [DE/DE]; Senckenberganlage 31, 60325 Frankfurt am Main (DE) (For All Designated States Except US).
MAYER, Kuno [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOLBESEN, Bernd., O. [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAYER, Kuno; (DE).
KOLBESEN, Bernd., O.; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Patent- und Rechtsanwälte, Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 030 588.4 03.07.2006 DE
Titel (DE) FLÜSSIGKEITSSTRAHLGEFÜHRTES ÄTZVERFAHREN ZUM MATERIALABTRAG AN FESTKÖRPERN SOWIE DESSEN VERWENDUNG
(EN) LIQUID JET-GUIDED ETCHING METHOD FOR REMOVING MATERIAL FROM SOLIDS AND THE USE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE GUIDÉE PAR JET DE LIQUIDE POUR L'ENLÈVEMENT DE MATIÈRE DE CORPS SOLIDES ET SON UTILISATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Materialabtrag an Festkörpern durch Flüssigkeitsstrahl-geführtes Ätzen. Verwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere zum Schneiden, Mikrostrukturieren, Dotieren von Wafern oder auch deren Metallisierung.
(EN)The invention relates to a method for removing material from solids by liquid jet-guided etching. Said method is especially suitable for cutting, microstructuring and doping wafers or for metallizing the same.
(FR)L'invention concerne un procédé pour l'enlèvement de matière de corps solides par gravure guidée par jet liquide. Le procédé selon l'invention est particulièrement utile pour la découpe, la microstructuration et le dopage de tranches de silicium ou leur métallisation.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)