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1. (WO2008000332) SILIZIUM-SOLARZELLEN MIT LANTHANIDEN ZUR VERÄNDERUNG DES SPEKTRUMS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2008/000332    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2007/004807
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2008 Internationales Anmeldedatum: 31.05.2007
IPC:
H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/055 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0288 (2006.01)
Anmelder: SCHMID TECHNOLOGY SYSTEMS GMBH [DE/DE]; Johann-Liesenbergerstrasse 7, 78078 Niedereschach (DE) (For All Designated States Except US).
HABERMANN, Dirk [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HABERMANN, Dirk; (DE)
Vertreter: RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER; Kronenstrasse 30, 70174 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2006 031 300.3 29.06.2006 DE
Titel (DE) SILIZIUM-SOLARZELLEN MIT LANTHANIDEN ZUR VERÄNDERUNG DES SPEKTRUMS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SILICON SOLAR CELLS COMPRISING LANTHANIDES FOR MODIFYING THE SPECTRUM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM AVEC DES LANTHANIDES POUR LA MODIFICATION DU SPECTRE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Zur Verbesserung der Energieausbeute von Solarzellen wird das Siliziummaterial mit einem oder mehreren verschiedenen Lanthaniden dotiert, so dass dieses Material in eine Schicht von etwa 600nm Tiefe eindringt. Dadurch können Photonen mit einer Energie, die mindestens doppelt so groß ist wie die Bandlücke des Siliziummaterials von 1,2 eV, durch die Anregung und Rekombination der ungepaarten 4f-Elektronen der Lanthanide in zwei oder mehr Photonen mit einer Energie im Bereich der Bandlücke von Silizium umgewandelt werden. Dadurch stehen zusätzliche Photonen mit einer vorteilhaften Energie nahe der Bandlücke von Silizium zur Elektronen-Loch-Paarbildung zur Verfügung.
(EN)The aim of the invention is to improve the energy yield efficiency of solar cells. According to the invention, the silicon material is doped with one or more different lanthanides such that said material penetrates into a layer approximately 60 nm deep. Photons, whose energy is at least double that of the 1.2 eV silicon material band gap, are thus converted into at least two photons having energy in the region of the silicon band gap, by excitation and recombination of the unpaired 4f electrons of the lanthanides. As a result, additional photons having advantageous energy close to the silicon band gap are provided for electron-hole pair formation.
(FR)Pour l'amélioration du rendement énergétique des cellules solaires, le matériau de silicium est dopé par un ou plusieurs lanthanides différents, de telle sorte que ce matériau pénètre dans une couche d'une profondeur d'environ 600nm. De ce fait, par l'excitation et la recombinaison des électrons 4f non appariés des lanthanides, des photons d'une énergie qui est au moins le double de la bande interdite du matériau de silicium, de 1,2 eV, peuvent être convertis en deux photons ou plus d'une énergie se situant dans la plage de la bande interdite du silicium. De la sorte, des photons supplémentaires d'une énergie avantageuse proche de la bande interdite du silicium sont disponibles pour la formation de paires électron-trou.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)