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1. WO2007088146 - VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON ALKALIIONEN AUF DIE OBERFLÄCHE DER CIGSSE-ABSORBERSCHICHT EINER CHALKOPYRIT-SOLARZELLE

Veröffentlichungsnummer WO/2007/088146
Veröffentlichungsdatum 09.08.2007
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2007/050818
Internationales Anmeldedatum 29.01.2007
IPC
H01L 31/18 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H01L 31/032 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0256gekennzeichnet durch das Material
0264Anorganische Materialien
032nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L31/0272-H01L31/031298
H01L 31/0336 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0256gekennzeichnet durch das Material
0264Anorganische Materialien
0328nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L31/0272-H01L31/032125
0336in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der Gruppe VI des Periodensystems ist
CPC
H01L 31/0323
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
0323characterised by the doping material
H01L 31/0749
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0749including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Anmelder
  • SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • EISELE, Wolfgang [DE]/[DE] (UsOnly)
  • LUCK, Ilka [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MEEDER, Alexander [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • EISELE, Wolfgang
  • LUCK, Ilka
  • MEEDER, Alexander
Vertreter
  • HENGELHAUPT, Jürgen D.
Prioritätsdaten
10 2006 004 909.801.02.2006DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON ALKALIIONEN AUF DIE OBERFLÄCHE DER CIGSSE-ABSORBERSCHICHT EINER CHALKOPYRIT-SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR APPLYING ALKALI IONS TO THE SURFACE OF THE CIGSSE ABSORBER LAYER OF A CHALCOPYRITE SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'APPLIQUER DES IONS ALCALINS SUR LA SURFACE D'UNE COUCHE D'ABSORPTION DE CIGSSE D'UNE CELLULE SOLAIRE DE CHALKOPYRITE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von Alkaliionen auf die Oberflache der CIGSSe-Absorberschicht einer Chalkopyrit-Solarzelle. Vorgeschlagen wird, dass das Aufbringen der Alkaliionen wahrend einer ohnehin auf die Deposition der CIGSSe- Absorberschicht auf einem Substrat folgenden chemischen Behandlungsphase der Absorberschicht, das heißt einem nachfolgenden Atzvorgang und/oder einer nachfolgenden badchemischen Beschichtung, erfolgt.
(EN)
The invention relates to a method for applying alkali ions to the surface of the CIGSSe absorber layer of a chalcopyrite solar cell. According to said method, the alkali ions are applied during a chemical treatment phase of the absorber layer, i.e. an etching process and/or a chemical immersion coating process, once the CIGSSe absorber layer has been deposited on a substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé dé permettant d'appliquer des ions alcalins sur la surface de la couche d'absorption de CIGSSe d'une cellule solaire de chalkopyrite. Selon l'invention, les ions alcalins sont appliqués pendant une phase de traitement chimique de la couche d'absorption, c'est-à-dire un procédé de mordançage consécutif et/ou un revêtement chimique en bain, dès que la couche d'absorption est déposée sur un substrat.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten