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1. (WO2007045232) PHOTODIODEN-CHIP HOHER GRENZFREQUENZ
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2007/045232    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2006/001866
Veröffentlichungsdatum: 26.04.2007 Internationales Anmeldedatum: 18.10.2006
IPC:
H01L 31/101 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
BACH, Heinz-Gunter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BELING, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BACH, Heinz-Gunter; (DE).
BELING, Andreas; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2005 051 571.1 21.10.2005 DE
Titel (DE) PHOTODIODEN-CHIP HOHER GRENZFREQUENZ
(EN) PHOTODIODE CHIP HAVING A HIGH LIMIT FREQUENCY
(FR) PUCE DE PHOTODIODE A HAUTE FREQUENCE LIMITE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz mit einem Leitungsübergang vom aktiven Photodiodenbereich eines Photodioden-Mesas zum Ausgangs-Pad des Hochfrequenzausgangs des Photodioden-Chips. Es bestand Bedarf, beim Bandbreitefaktor von Photodioden-Chips nach weiteren Steigerungen zu suchen. Vorgeschlagen wird hierzu, dass die Verbindung vom Photodioden-Mesa zum Ausgangs-Pad mit einer hochohmigen Leitung mit über deren Länge verteilter Impedanz (Zleitung) realisiert ist, die mindestens so hoch ist wie die am Ausgangs-Pad wirksame Lastimpedanz (Zlast)
(EN)The invention relates to a photodiode chip which has a great limit frequency and a junction from the active photodiode area of a photodiode mesa to the output pad of the high-frequency output of the photodiode chip. The aim of the invention is to further increase the bandwidth factor of photodiode chips. Said aim is achieved by establishing the connection from the photodiode mesa to the output pad by means of a high-resistance wire with impedance (Zleitung) which is spread across the length thereof and is at least as high as the load impedance (Zlast) effective at the output pad.
(FR)L'invention concerne une puce de photodiode à haute fréquence limite présentant une jonction de lignes de la zone de photodiode active d'une mésa de photodiode à un plot de contact de sortie de la sortie haute fréquence de la puce de photodiode. L'objectif de cette invention est d'augmenter davantage le coefficient de largeur de bande de puces de photodiode. A cet effet, la connexion de la mésa de photodiode au plot de contact de sortie est établie au moyen d'une ligne de valeur ohmique élevée présentant une impédance (Zleitung) répartie sur sa longueur qui est au moins aussi haute que l'impédance de charge (Zlast) effective au niveau du plot de contact de sortie.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)