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1. (WO2007045112) LEISTUNGSGEHÄUSE FÜR HALBLEITERCHIPS UND DEREN ANORDNUNG ZUR WÄRMEABFUHR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2007/045112    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/CH2006/000574
Veröffentlichungsdatum: 26.04.2007 Internationales Anmeldedatum: 17.10.2006
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    22.11.2006    
IPC:
H01L 23/367 (2006.01)
Anmelder: CREATIVE LED GMBH [LI/LI]; Technopark Im Alten Riet 121, FL-9494 Schaan (LI) (For All Designated States Except US).
FREIBERG, Egbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FREIBERG, Egbert; (DE)
Prioritätsdaten:
1685/05 20.10.2005 CH
Titel (DE) LEISTUNGSGEHÄUSE FÜR HALBLEITERCHIPS UND DEREN ANORDNUNG ZUR WÄRMEABFUHR
(EN) POWER HOUSING FOR SEMICONDUCTOR CHIPS AND THE ARRANGEMENT THEREOF FOR HEAT DISSIPATION
(FR) BOÎTIER DE PUISSANCE POUR PUCES À SEMI-CONDUCTEUR ET CONFIGURATION DUDIT BOÎTIER POUR LA DISSIPATION DE CHALEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein oberf lächenmontierbares Leistungsgehäuse (1) für Halbleiterchips (10) und deren Anordnung zur Wärmeabfuhr an Kühlmedien (15) bei Hochleistungsbauelementen durch Reduzierung der konstruktiv bedingten in Reihe liegenden thermischen Widerstände. Das Leistungsgehäuse ist so ausgebildet, dass die Unterseite durch eine Öffnung (21) der Verdrahtungsebene (25) hindurch direkt mit dem Kühlkörper (15) verbunden werden kann, und die notwendige Verdrahtungsebene nicht eingebunden wird. Ausgeführt wird das Gehäuse aus einem Chipträgersubstrat (12) und einem Gehäuseträgersubstrates (13), welche über elektrische Verbindungen zur Kontaktierung der Halbleiterchips (10) mit der Verdrahtungsebene (25) verfügen. Das Leistungsgehäuse besteht vorzugsweise aus keramischen Werkstoffen oder Silizium.
(EN)The invention relates to a surface-mountable power housing (1) for semiconductor chips (10) and the arrangement thereof for heat dissipation at cooling media (15) in high-power components by reducing the constructionally dictated thermal resistances lying in series. The power housing is formed in such a way that the underside can be connected directly to the heat sink (15) through an opening (21) in the wiring plane (25), and the required wiring plane is not incorporated. The housing is embodied from a chip carrier substrate (12) and a housing carrier substrate (13), which are provided with electrical connections for contact-connecting the semiconductor chips (10) to the wiring plane (25). The power housing preferably comprises ceramic materials or silicon.
(FR)Boîtier de puissance (1) pouvant être monté en surface pour puces à semi-conducteur (10) et configuration dudit boîtier pour la dissipation de chaleur par transfert à des milieux de refroidissement (15), dans des composants à haute puissance, par réduction des résistances thermiques conditionnées par la structure et situées en rangée. Ledit boîtier de puissance est ainsi conçu que la face inférieure peut être directement connectée au corps de refroidissement (15) par une ouverture (21) ménagée dans le plan de câblage (25), et que le plan de câblage nécessaire n'est pas intégré. Ledit boîtier est composé d'un substrat de support (12) de puce et d'un substrat de support (13) de boîtier qui sont pourvus de connexions électriques en vue de l'établissement du contact entre les puces à semi-conducteur (10) et le plan de câblage (25). Ce boîtier de puissance est constitué de préférence de matières céramiques ou de silicium.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)