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1. (WO2007042521) HERSTELLUNG VON SELBSTORGANISIERTEN NADELARTIGEN NANO-STRUKTUREN UND IHRE RECHT UMFANGREICHEN ANWENDUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2007/042521    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2006/067249
Veröffentlichungsdatum: 19.04.2007 Internationales Anmeldedatum: 10.10.2006
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Anmelder: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, 99097 Erfurt (DE) (For All Designated States Except US).
GAEBLER, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BACH, Konrad [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GAEBLER, Daniel; (DE).
BACH, Konrad; (DE)
Vertreter: LEONHARD, Reimund; Leonhard Olgemoeller Fricke, Postfach 10 09 62, 80083 Muenchen (DE)
Prioritätsdaten:
10 2005 048 365.8 10.10.2005 DE
10 2005 048 363.1 10.10.2005 DE
10 2005 048 362.3 10.10.2005 DE
10 2005 048 361.5 10.10.2005 DE
10 2005 048 360.7 10.10.2005 DE
10 2005 048 359.3 10.10.2005 DE
Titel (DE) HERSTELLUNG VON SELBSTORGANISIERTEN NADELARTIGEN NANO-STRUKTUREN UND IHRE RECHT UMFANGREICHEN ANWENDUNGEN
(EN) PRODUCTION OF SELF-ORGANIZED PIN-TYPE NANOSTRUCTURES, AND THE RATHER EXTENSIVE APPLICATIONS THEREOF
(FR) PRODUCTION DE NANOSTRUCTURES EN AIGUILLES AUTO-ORGANISEES ET UTILISATIONS DIVERSES DE CES NANOSTRUCTURES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen mit einer Nanostruktur (2;4,4a) zur Verbesserung des optischen Verhaltens von Bauelementen und Geräten und/oder zur Verbesserung des Verhaltens von Sensoren durch Vergrößern des aktiven Oberflächenbereichs. Die Nanostruktur (2) wird mittels spezieller RIE-Ätzung hergestellt und kann in ihrer Materialzusammensetzung modifiziert werden und mit geeigneten Deckschichten versehen werden. Der Materialverbrauch der Basisschicht (3) kann durch Vorsehen einer Pufferschicht (406) reduziert werden. Viele Anwendungen werden erläutert.
(EN)The invention relates to methods and devices comprising a nanostructure (2; 4, 4a) for improving the optical behavior of components and apparatuses and/or improving the behavior of sensors by increasing the active surface area. The nanostructure (2) is produced by means of a special RIE etching process, can be modified regarding the composition of the materials thereof, and can be provided with adequate coatings. The amount of material used for the base layer (3) can be reduced by supplying a buffer layer (406). Many applications are disclosed.
(FR)L'invention concerne des procédés et des dispositifs faisant intervenir une nanostructure (2 ; 4, 4a) pour améliorer les caractéristiques optiques de composants et d'appareils et/ou pour améliorer les caractéristiques de capteurs par augmentation de la surface active. Cette nanostructure (2) est produite par un procédé spécial de gravure ionique réactive, elle peut être modifiée du point de vue de sa composition et être pourvue de couches de recouvrement adaptées. La quantité de matière utilisée pour la couche de base (3) peut être réduite par l'intermédiaire d'une couche tampon (406). De nombreuses utilisations sont présentées.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)