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1. (WO2007038918) MONOLITHISCH INTEGRIERTE BH-LASERSTRUKTUR ALS VERSTÄRKERELEMENT MIT INTEGRIERTER TAPERUNG DER AKTIVEN LASERSCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2007/038918    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2006/001753
Veröffentlichungsdatum: 12.04.2007 Internationales Anmeldedatum: 02.10.2006
IPC:
H01S 5/026 (2006.01)
Anmelder: FRAUENHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastr. 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
MÖHRLE, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SIGMUND, Ariane [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MÖHRLE, Martin; (DE).
SIGMUND, Ariane; (DE)
Prioritätsdaten:
20 2005 015 673.6 03.10.2005 DE
Titel (DE) MONOLITHISCH INTEGRIERTE BH-LASERSTRUKTUR ALS VERSTÄRKERELEMENT MIT INTEGRIERTER TAPERUNG DER AKTIVEN LASERSCHICHT
(EN) MONOLITHICALLY INTEGRATED BH-LASER STRUCTURE IN THE FORM OF AN AMPLIFIER ELEMENT PROVIDED WITH AN INTEGRATED TAPERING OF ACTIVE LASER LAYER
(FR) STRUCTURE DE LASER BH INTEGREE DE FAÇON MONOLITHIQUE, UTILISEE EN TANT QU'ELEMENT D'AMPLIFICATION A EFFILEMENT INTEGRE DE LA COUCHE LASER ACTIVE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es soll eine BH-Laserstruktur (BHL) in der Ausbildung eines Verstärkerelements (VE) angegeben werden, die eine optimale Lichtauskopplung an der Frontfacette ermöglicht und die zudem einfach herstellbar und in ihrer emittierten Wellenlänge gut einstellbar ist. Hierfür ist vorgesehen, dass die aktive Laserschicht (ALS) in Richtung auf die Frontfacette eine integrierte Taperung (TP) in zumindest lateraler Richtung aufweist und alle auf der Oberseite der BH-Laserstruktur (BHL) vorgesehenen Kontaktpads (HP1 , HP2, PP, NP1 , NP2) auf derselben Höhe (H) angeordnet sind. Das Heizmittel ist als integrierter und parallel zur aktiven Laserschicht (ALS) verlaufender Heizdraht (HD) ausgebildet.
(EN)The invention relates to an BH laser structure (BHL) which is used for producing an amplifier element (VE), makes it possible to obtain an optimal light outcoupling on the front facet, is simple to produce and whose wavelength is easily adjustable. For this purpose, the inventive laser active layer (ALS) is provided, in the direction of the front facet, with an tapering (TP) integrated in at least one lateral direction and all contact pads (HP1 , HP2, PP, NP1 , NP2) placed on the top side of the BH laser structure(BHL) are arranged at the same height (H). A heating medium is embodied in the form of a heating wire (HD) which is parallel to the laser active layer (ALS) and is integrated therein. .
(FR)L'invention a pour objet la mise à disposition d'une structure laser BH (BHL) dans le cadre de la constitution d'un élément d'amplification (VE), ladite structure permettant une introduction de lumière optimale au niveau de la facette frontale, pouvant être réalisée de manière simple et ayant une longueur d'onde d'émission facilement réglable. A cet effet, la couche laser active (ALS) présente selon l'invention en direction de la facette frontale, un effilement intégré (TP) dans au moins une direction latérale, et toutes les pastilles de contact (HP1, HP2, PP, NP1, NP2) présentes sur le côté supérieur de la structure laser BH (BHL), se trouvent à la même hauteur (H). Le système de chauffage se présente sous la forme d'un fil chauffant (HD) intégré et parallèle à la couche laser active (ALS).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)