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1. (WO2007036214) STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2007/036214    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2006/001701
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2007 Internationales Anmeldedatum: 27.09.2006
IPC:
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
EISERT, Dominik [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LINDER, Norbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
OBERSCHMID, Raimund [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BERBEN, Dirk [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JERMANN, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZACHAU, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: EISERT, Dominik; (DE).
LINDER, Norbert; (DE).
OBERSCHMID, Raimund; (DE).
BERBEN, Dirk; (DE).
JERMANN, Frank; (DE).
ZACHAU, Martin; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2005 046 368.1 28.09.2005 DE
10 2005 062 514.2 27.12.2005 DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) RADIATION-EMITTING OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE EMETTANT UN RAYONNEMENT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine aktive Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst offenbart, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, die von einer Vorderseite (3) des Halbleiterkörpers (1) emittiert wird. Weiterhin umfasst das Bauelement einen dem Halbleiterkörper (1) in dessen Abstrahlrichtung nachgeordneten ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt und eine erste selektiv reflektierende Schicht (8) zwischen der aktiven Halbleiterschichtenfolge (2) und dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), die Strahlung der zweiten Wellenlänge selektiv reflektiert und für Strahlung der ersten Wellenlänge durchlässig ist.
(EN)An optoelectronic component having a semiconductor body (1) comprising an active semiconductor layer sequence (2) is disclosed, said semiconductor layer sequence being suitable for generating electromagnetic radiation having a first wavelength, which is emitted from a front side (3) of the semiconductor body (1). The component furthermore comprises a first wavelength conversion substance (6), which is disposed downstream of the semiconductor body (1) in the emission direction thereof and converts radiation having the first wavelength into radiation having a second wavelength, which is different from the first wavelength, and a first selectively reflective layer (8) between the active semiconductor sequence (2) and the first wavelength conversion substance (6), which layer selectively selects radiation having the second wavelength and is transmissive to radiation having the first wavelength.
(FR)La présente invention concerne un composant optoélectronique comprenant un corps à semi-conducteur (1) qui comprend une série de couches de semi-conducteur active (2) qui est en mesure de produire un rayonnement électromagnétique qui a une première longueur d'onde et est émis par un côté avant (3) du corps à semi-conducteur (1). Le composant comprend en outre une première matière de conversion de longueur d'onde (6) qui est disposée en aval du corps à semi-conducteur (1) dans sa direction d'émission de rayonnement, et qui convertit le rayonnement de première longueur d'onde en un rayonnement ayant une seconde longueur d'onde différente de la première, et une première couche à réflexion sélective (8) qui est disposée entre la série de couches de semi-conducteur active (2) et la première matière de conversion de longueur d'onde (6), réfléchit le rayonnement de seconde longueur d'onde et est perméable au rayonnement de première longueur d'onde.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)