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1. (WO2006097304) PRÄGEVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN EINHEITEN AUSGEHEND VON EINER MEHRLAGIGEN AUSGANGSSTRUKTUR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/097304    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2006/002418
Veröffentlichungsdatum: 21.09.2006 Internationales Anmeldedatum: 16.03.2006
IPC:
H01L 51/40 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Anmelder: O-FLEXX TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Eutelis-Platz 1-3, 40878 Ratingen (DE) (For All Designated States Except US).
BISGES, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BISGES, Michael; (DE)
Vertreter: KOHLMANN, Kai; Donatusstrasse 1 52078 Aachen (DE)
Prioritätsdaten:
10 2005 013 125.5 18.03.2005 DE
Titel (DE) PRÄGEVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN EINHEITEN AUSGEHEND VON EINER MEHRLAGIGEN AUSGANGSSTRUKTUR
(EN) STAMPING METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC UNITS FORM A MULTI-LAYERED STARTING STRUCTURE
(FR) PROCEDE D'ESTAMPAGE DESTINE A LA FABRICATION D'UNITES ELECTRONIQUES A PARTIR D'UNE STRUCTURE DE DEPART MULTICOUCHE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten, insbesondere Halbleiterbauelementen, das die massenhafte preiswerte Herstellung von Halbleiterbauelementen unabhängig von dem verwendeten Material für die elektrisch leitenden und halbleitenden Schichten ermöglicht und das eine hohe Gleichmäßigkeit und geringe Strukturgröße der hergestellten Halbleiter gewährleistet. Schließlich soll eine Ausgangsstruktur als Halbzeug vorgeschlagen werden, die für die Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren besonders geeignet ist. Die Erfindung schlägt vor, senkrecht zu der Oberfläche einer mehrlagigen Ausgangsstruktur liegende Schnittflächen, die in einem Prägeschritt erzeugt werden, als Funktionsflächen für den Aufbau eines Halbleiterbauelementes, insbesondere TFT- Transistors, zu nutzen.
(EN)The invention relates to a method for producing electronic units, in particular semi-conductor components, which enable semi-conductor components to be produced in mass and in an economical manner, independently from the used material for the electrically conductive and semi-conductive layers and guarantees a high regularity and a small structural size of the produced semi-conductor. The invention also relates to a starting structure which is used as a semi-finished product and which is particularly suitable for use in the inventive method. The invention further relates to cut surfaces which are arranged in a perpendicular manner in relation to the surface of a multi-layered starting structure, which are produced in the stamping step and which are to be used as functional surfaces for the construction of a semi-conductor component, in particular a TFT-transistor.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'unités électroniques, notamment de composants à semiconducteurs, permettant une fabrication économique en masse de composants à semiconducteurs, indépendamment du matériau employé pour les couches conductrices et semiconductrices, et garantissant une grande régularité et une faible dimension structurelle des semiconducteurs fabriqués. L'invention vise également à mettre en oeuvre une structure de départ servant de demi-produit, particulièrement adaptée à une utilisation dans le procédé selon l'invention. Selon l'invention, des surfaces de coupe situées perpendiculairement à la surface d'une structure de départ multicouche, fabriquées dans une étape d'estampage, sont employées en tant que surfaces fonctionnelles pour la création d'un composant à semiconducteurs, notamment d'un transistor TFT.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)