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1. WO2006087080 - LICHTEMPFINDLICHES BAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2006/087080
Veröffentlichungsdatum 24.08.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2006/000696
Internationales Anmeldedatum 26.01.2006
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 18.12.2006
IPC
H01L 31/113 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
112gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor
113mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor
CPC
H01L 31/1136
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
112characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
113being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
1136the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
Anmelder
  • AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT]/[AT] (AllExceptUS)
  • ENICHLMAIR, Hubert [AT]/[AT] (UsOnly)
  • KRAFT, Jochen [DE]/[AT] (UsOnly)
  • RÖHRER, Georg [AT]/[AT] (UsOnly)
Erfinder
  • ENICHLMAIR, Hubert
  • KRAFT, Jochen
  • RÖHRER, Georg
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
102005007358.117.02.2005DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LICHTEMPFINDLICHES BAUELEMENT
(EN) LIGHT-SENSITIVE COMPONENT
(FR) ELEMENT SENSIBLE A LA LUMIERE
Zusammenfassung
(DE)
Zum Nachweis von Licht mit insbesondere hohem Blauanteil wird vorgeschlagen, die Inversionszone und die Raumladungszone einer CMOS-artigen Struktur zu verwenden. In Verbindung mit einer zumindest teilweise transparenten Gate-Elektrode, insbesondere einem transparenten leitfähigen Oxid oder einer strukturierten Gate-Elektrode gelingt es, den kurzwelligen Anteil einfallenden Lichts innerhalb der Inversionszone zu absorbieren und die erzeugten Ladungsträgerpaare sicher zu ersten und zweiten Kontakten abzuleiten. An die Gate-Elektrode wird im Betrieb eine Steuerspannung in einer Höhe angelegt, die eine durchgehende Inversionszone unterhalb der gegebenenfalls strukturierten Gate-Elektrode erzeugt.
(EN)
According to the invention, the detection of light with a particularly high blue component may be achieved by the use of the inversion zone and the space charge region of a CMOS-type structure. The short-wave component of incident light may be absorbed within the inversion zone in connection with an at least partly transparent gate electrode, in particular, a transparent conducting oxide or a structured gate electrode and the generated charge carrier pairs are securely transported to first and second contacts. A control voltage is set at the gate electrode during operation to such a level that a continuous inversion zone is generated below the optionally structured gate electrode.
(FR)
L'invention concerne la mise en évidence de lumière à proportion élevée de bleu en utilisant la zone d'inversion et la zone de charge d'espace d'une structure de type CMOS. Une électrode grille, au moins partiellement transparente, notamment un oxyde conducteur transparent ou une électrode grille structurée, permet d'absorber la partie à onde courte de la lumière incidente dans la zone d'inversion et de dévier les paires de porteurs de charge ainsi créées vers des premiers et des deuxièmes contacts. En fonctionnement, une tension d'entrée est appliquée à l'électrode grille à une hauteur qui génère une zone d'inversion ininterrompue sous l'électrode grille éventuellement structurée.
Auch veröffentlicht als
EP6706437
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