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1. (WO2006081974) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER SCHALTUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/081974    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2006/000661
Veröffentlichungsdatum: 10.08.2006 Internationales Anmeldedatum: 26.01.2006
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Anmelder: ATMEL GERMANY GMBH [DE/DE]; Theresienstr. 2, 74072 Heilbronn (DE) (For All Designated States Except US).
BRANDL, Peter [DE/AT]; (AT) (For US Only)
Erfinder: BRANDL, Peter; (AT)
Prioritätsdaten:
10 2005 004 709.2 02.02.2005 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER SCHALTUNGEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE DES CIRCUITS INTEGRES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren, indem das Herstellungsverfahren in mehrere Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) aufgegliedert ist, wobei als Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) - ein Anschlussmodul zur Erzeugung eines Anschlussgebietes, - ein Kollektor-Emitter-Modul zur Erzeugung eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Kollektorgebietes und/oder eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Emittergebietes, und - ein Basismodul zur Erzeugung eines Basisgebietes definiert sind und wobei die Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) zueinander derartige Verfahrensschnittstellen (l12, l23) aufweisen, dass zur Entwicklung einer von der bestehenden Technologieversion abweichenden Technologieversion zumindest ein Prozessschritt (P1 , P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) eines Verfahrensmoduls (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) unter Einhaltung der Verfahrensschnittstelle (l12, l23) unabhängig von den Prozessschritten (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) der übrigen Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) geändert wird.
(EN)Disclosed is a method for producing integrated circuits comprising silicon-germanium heterobipolar transistors. Said method is subdivided into several modules (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b). A connecting module for creating a joining region, a collector-emitter module for creating a collector region bordering the connecting region and/or an emitter region bordering the connecting region, and a base module for creating a base region are defined as modules (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) of the inventive method. Said modules (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) are provided with such points of intersection (l12, l23) among each other that at least one process step (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8, or P9) of a module (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) is modified independently of the process steps (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8, or P9) of the other modules (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) while maintaining the point of intersection (l12, l23) of the method in order to develop a technology version that deviates from the previously existing technology version.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire des circuits intégrés comprenant des transistors hétérobipolaires contenant du silicium-germanium, comprenant différents modules de procédé (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b), dans lesquels un module de raccordement produisant un domaine de raccordement, un module émetteur collecteur produisant un domaine émetteur limitant le domaine de raccordement, et/ ou qui est relié au domaine collecteur limitant le domaine de raccordement, et un module de base produisant un domaine de base. Lesdits modules de procédé (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) présentant les interfaces de procédés correspondantes (I12, I23), de sorte que, pour produire une version de la technologie dérivant de la version de la technologie antérieure, au moins un étape de processus (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 ou P9) d'un module de procédé (module 1a, 1b, 2, 3a, 3b) peut être modifié, tout en respectant des interfaces de procédés (I12, I23), indépendamment des étapes de processus (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 ou P9) des modules de procédés (modules 1a, 1b, 2, 3a, 3b).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)