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1. (WO2006081940) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS AUS QUARZGLAS FÜR DEN EINSATZ IN DER HALBLEITERFERTIGUNG UND NACH DEM VERFAHREN ERHALTENES BAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/081940    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2006/000381
Veröffentlichungsdatum: 10.08.2006 Internationales Anmeldedatum: 18.01.2006
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    04.12.2006    
IPC:
C03C 15/00 (2006.01), C03C 19/00 (2006.01)
Anmelder: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Quarzstrasse 8, 63450 Hanau (DE) (For All Designated States Except US).
WEBER, Juergen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KIRST, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WEBER, Juergen; (DE).
KIRST, Ulrich; (DE)
Vertreter: STAUDT, Armin; Auf der Mauer 8, 63674 Altenstadt (DE)
Prioritätsdaten:
10 2005 005 196.0 03.02.2005 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS AUS QUARZGLAS FÜR DEN EINSATZ IN DER HALBLEITERFERTIGUNG UND NACH DEM VERFAHREN ERHALTENES BAUTEIL
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A QUARTZ GLASS COMPONENT FOR USE IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURE AND COMPONENT PRODUCED BY THIS PROCESS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT EN VERRE DE SILICE DESTINE A ETRE UTILISE DANS LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANT OBTENU PAR CE PROCEDE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bauteile aus Quarzglas, die für den Einsatz in der Halbleiterfertigung bestimmt sind, werden durch mechanische Bearbeitung der Oberfläche eines Quarzglas-Rohlings hergestellt, wobei eine anfängliche mittlere Oberflächenrauigkeit Ra,0 erzeugt wird. Die so bearbeitete Bauteil-Oberfläche wird abschließend in einer Ätzlösung gereinigt. Bei der Erfindung geht es um eine Optimierung derartiger Bauteile hinsichtlich der Partikelbildung bereits beim erstmaligen bestimmungsgemäßen Einsatz. Es wird vorgeschlagen, dass durch die mechanische Bearbeitung eine anfängliche mittlere Oberflächenrauigkeit Ra,ovon mindestens 0,2 µm eingestellt wird, und dass Intensität und Dauer der Ätzbehandlung so eingestellt werden, dass sich eine tatsächliche Ätztiefe von mindestens 10 µm ergibt. Ein nach dem Verfahren erhaltenes Bauteil aus Quarzglas für den Einsatz in der Halbleiterfertigung zeichnet sich dadurch aus, dass es vor seinem erstmaligen bestimmungsgemäßen Einsatz eine durch mechanische Bearbeitung und Ätzen erzeugte Oberfläche mit Ätzstruktur mit einer mittleren Oberflächenrauigkeit Ra,1 im Bereich zwischen 0,6 µm und 8 µm aufweist, und sich beim Ätzen des Bauteils mittels 10%-iger Flusssäure bei Raumtemperatur ein im Wesentlichen zeitlich konstanter Gewichtsabnahme von weniger als 0,4 µg / (mm2 x min) einstellt.
(EN)Quartz glass components for use in semiconductor manufacture are produced by mechanically machining the surface of a quartz glass blank so as to produce an initial average surface roughness Ra,0. The thus machined component surface is then cleaned in an etching solution. The invention relates to the optimisation of particle formation on such components, during the first intended use already. It is proposed to produce an initial average surface roughness Ra,0 of at least 0.2 $g(m)m by mechanical machining, and to adjust etching intensity and duration so that an actual etching depth of at least 10 $g(m)m is achieved. A quartz glass component produced by this process for use in semiconductor manufacture is characterised in that it comprises, before its first intended use, a surface produced by mechanical machining and etching having an etched structure with an average surface roughness Ra,1 ranging from 0.6 $g(m)m to 8 $g(m)m, and in that a weight loss of less than 0.4 $g(m)g/(mm2 x min) which is substantially constant in time is achieved when etching the component with a 10 % solution of hydrofluoric acid.
(FR)Les composants en verre de silice destinés à être utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs sont produits par traitement mécanique de la surface d'une ébauche en verre de silice, une rugosité superficielle moyenne initiale Ra,0 étant obtenue. La surface du composant ainsi traitée est ensuite nettoyée dans une solution d'attaque. L'objectif de l'invention est d'optimiser ces composants du point de vue de la formation de particules dès la première utilisation conforme aux prescriptions. A cet effet, d'après le procédé selon l'invention, le traitement mécanique permet d'obtenir une rugosité superficielle moyenne initiale Ra,0 d'au moins 0,2 µm et l'intensité et la durée du traitement d'attaque sont définies de telle sorte qu'une profondeur d'attaque réelle d'au moins 10 µm soit obtenue. L'invention concerne également un composant en verre de silice destiné à être utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs obtenu par ce procédé, ce composant étant caractérisé en ce qu'il présente avant sa première utilisation conforme aux prescriptions une surface produite par traitement mécanique et attaque qui présente une structure d'attaque avec une rugosité superficielle moyenne Ra,1 comprise entre 0,6 µm et 8 µm et en ce que l'attaque du composant au moyen d'acide fluorhydrique à 10 % à température ambiante entraîne une diminution de poids sensiblement constante dans le temps inférieure à 0,4 µg / (mm2 x min).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)