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1. WO2006053690 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON SUBSTRATEN

Veröffentlichungsnummer WO/2006/053690
Veröffentlichungsdatum 26.05.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2005/012143
Internationales Anmeldedatum 12.11.2005
IPC
H01L 21/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
CPC
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
Anmelder
  • STEAG HAMA TECH AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • SAULE, Werner [DE]/[DE] (UsOnly)
  • BERGER, Lothar [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KRAUSS, Christian [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WEIHING, Robert [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • SAULE, Werner
  • BERGER, Lothar
  • KRAUSS, Christian
  • WEIHING, Robert
Prioritätsdaten
10 2004 055 449.817.11.2004DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON SUBSTRATEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR THERMALLY TREATING SUBSTRATES
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRATS
Zusammenfassung
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, bei dem bzw. bei der die Substrate in Kontakt mit oder eng beabstandet zu einer Heizplatte gehalten werden, die über eine Vielzahl von separat ansteuerbaren Heizelementen auf der vom Substrat abgewandten Seite der Heizplatte erwärmt wird, wobei die Heizplatte wenigstens in ihrer Ebene von einem hierzu beabstandeten Rahmen umgeben ist und in gesteuerter Weise Gas durch einen Spalt zwischen dem Rahmen und wenigstens einer Kante der Heizplatte geleitet wird.
(EN)
The invention relates to a device for thermally treating substrates, wherein the substrates are maintained in contact with or are narrowly distanced from a heating plate which is heated via a plurality of separately controllable heating elements on the side of the heating plate facing away from the substrate. The heating plate is surrounded at least on the plane thereof by a frame which is distanced therefrom and gas is guided in a controlled manner through a gap between the frame and at least one edge of the heating plate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de traitement thermique de substrats, les substrats étant maintenus en contact avec ou à une distance limitée d'une plaque chauffante qui est chauffée par une pluralité d'éléments chauffants qui peuvent être commandés séparément et sont disposés sur le côté de la plaque chauffante, opposé au substrat, la plaque chauffante étant entourée au moins dans son plan par un cadre espacée de celle-ci, et du gaz étant guidé d'une manière contrôlée à travers un espace formé entre le cadre et au moins une arête de la plaque chauffante.
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