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1. WO2006045278 - HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2006/045278
Veröffentlichungsdatum 04.05.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2005/001875
Internationales Anmeldedatum 20.10.2005
IPC
H01L 27/115 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105mit Feldeffekt- Schaltungselementen
112Strukturen für ROM-Speicher
115EPROM-Speicher; Mehrstufige Herstellungsverfahren hierfür
H01L 21/336 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335Feldeffekt-Transistoren
336mit einem isolierten Gate
H01L 21/28 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
H01L 29/792 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66Typen von Halbleiterbauelementen
68steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76Unipolar-Bauelemente
772Feldeffekt-Transistoren
78mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
792mit Ladungseinfang im Gate-Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor
CPC
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 27/11568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11568characterised by the memory core region
H01L 29/40117
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
401Multistep manufacturing processes
4011for data storage electrodes
40117the electrodes comprising a charge-trapping insulator
H01L 29/66833
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66833with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
H01L 29/7923
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
792with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
7923Programmable transistors with more than two possible different levels of programmation
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • RIEDEL, Stephan [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STRASSBURG, Matthias [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • RIEDEL, Stephan
  • STRASSBURG, Matthias
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2004 060 697.816.12.2004DE
10/978,21629.10.2004US
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG
(EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT
(FR) SYSTEME DE CIRCUIT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung
(DE)
Es wird eine Halbleiterschaltungsanordnung für eine Speicherzelle (160) mit einem Transistorkörper (150) beschrieben. Der Transistorkörper (150) umfasst einen ersten und zweiten Dotierungsbereich (10a, 10b) und einen dazwischenliegenden Kanalbereich (110). Die Speicherzelle (160) umfasst des Weiteren eine Gate-Elektrode (3a), die über dem Kanalbereich (110) angeordnet ist und von diesem durch eine dielektrische Schicht (2a) getrennt ist. Erste Abschnitte (661) einer Oxid-Nitrid-Oxid-Schicht (66) sind über den ersten und zweiten Dotierungsbereichen (10a, 10b) angeordnet und verlaufen im Wesentlichen parallel zu einer oberen Oberfläche (111) des Transistorkörpers (150). Zweite Abschnitte (662) der Oxid-Nitrid-Oxid-Schicht (66) grenzen an die Gate-Elektrode (3a) und erstrecken sich in eine Richtung, die im Wesentlichen nicht parallel zu der oberen Oberfläche (111) des Transistorkörpers (150) ist.
(EN)
The invention relates to a semiconductor circuit arrangement for a memory cell (160) having a transistor base (150). Said transistor base (150) comprises a first and a second doped region (10a, 10b) and an interposed channel region (110). The memory cell (160) also comprises a gate electrode (3a) which is arranged above the channel region (110) and is separated therefrom by a dielectric layer (2a). First sections (661) of an oxide/nitride/oxide layer (66) are arranged above the first and second doped regions (10a, 10b) and extend substantially parallel to an upper surface (111) of the transistor base (150). Second sections (662) of the oxide/nitride/oxide layer (66) adjoin the gate electrode (3a) and extend in a direction that is substantially not parallel to the upper surface (111) of the transistor base (150).
(FR)
L'invention concerne un système de circuit semi-conducteur destiné à une cellule de mémoire (160) dotée d'un corps de transistor (150). Le corps de transistor (150) comprend une première et une deuxième zone de dopage (10a, 10b) et une zone canal (110) intermédiaire. La cellule de mémoire (160) comprend également une gâchette (3a) qui est placée au-dessus de la zone canal (110) et est séparée de cette zone par une couche diélectrique (2a). Des premières sections (661) d'une couche d'oxyde-nitrure-oxyde (66) sont placées au-dessus des première et deuxième zone de dopage (10a, 10b) et s'étendent sensiblement parallèlement à une surface supérieure (111) du corps de transistor (150). Des deuxièmes sections (662) de la couche oxyde-nitrure-oxyde (66) sont adjacentes à une gâchette (3a) et s'étendent dans une direction qui est sensiblement non parallèle à la surface supérieure (111) du corps de transistor (150).
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