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1. (WO2006029956) HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE ZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/029956    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2005/054183
Veröffentlichungsdatum: 23.03.2006 Internationales Anmeldedatum: 25.08.2005
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HOLZ, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHRÜFER, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEWS, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HOLZ, Jürgen; (DE).
SCHRÜFER, Klaus; (DE).
TEWS, Helmut; (DE)
Vertreter: KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, Postfach 100234, 85593 Baldham (DE)
Prioritätsdaten:
102004044667.9 15.09.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE ZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei auf einem Trägersubstrat (1) voneinander beabstandete Source-/Draingebiete (S, D) zum Festlegen eines Kanalgebiets (KA) ausgebildet sind. Im Bereich des Kanalgebiets (KA) ist ein Gate-Dielektrikum (2) ausgebildet, an dessen Oberfläche ein Gatestapel (3) mit Spacern (4) ausgebildet ist. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind Teilbereiche (2A) des Gate-Dielektrikums (2) zwischen dem Trägersubstrat (1) und den Spacern (4) derart modifiziert, dass eine Dielektrizitätskonstante des modifizierten Teilbereichs (2A) kleiner ist als eine Dielektrizitätskonstante des Gate-Dielektrikums (2).
(EN)The invention relates to a semiconductor element and to a corresponding method for producing the same, whereby spaced-apart source/drain regions (S, D) defining a channel region (KA) are configured on a carrier substrate (1). A gate dielectric (2) is configured in the area of the channel region (KA), a gate stack (3) having spacers (4) being configured on the surface thereof. The invention is characterized in that subsections (2A) of the gate dielectric (2) are modified between the carrier substrate (1) and the spacers (4) in such a manner that a dielectric constant of the modified subsection (2A) is smaller than a dielectric constant of the gate dielectric (2).
(FR)L'invention concerne un composant à semiconducteur et un procédé de fabrication associé, selon lequel des zones de source/drain (S, D), éloignées l'une de l'autre et destinées à définir une zone de canal (KA), sont formées sur un substrat support (1). Un diélectrique de grille (2) est formé au niveau de cette zone de canal (KA), diélectrique à la surface duquel est formé un empilement de grille (3) à entretoises (4). Selon la présente invention, des parties (2A) du diélectrique de grille (2) entre le substrat support (1) et les entretoises (4) sont modifiées, de sorte qu'une constante diélectrique de la partie modifiée (2A) est inférieure à une constante diélectrique du diélectrique de grille (2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)