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1. WO2006021181 - INTEGRIERTE SCHALTKREIS-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Patentansprüche :

1. Integrierte Schaltkreis-Anordnung
•• mit einem ersten Anschluss, der auf ein erstes
5 , Versorgungspotential. bringbar ist, mit einem zweiten
Anschluss, der auf ein zweites Versorgungspotential
bringbar ist, wobei zwischen dem ersten Anschluss und
dem zweiten Anschluss ein Versorgungspotentialpfad
gebildet ist;
10 • mit einem Electrostati-C-Discharge-Element zumindest in
dem Versorgungspotentialpfad;
• mit einem Signaleingangspad, an dem ein Eingangssignal
anlegbar ist;
• mit einem Signalausgang, an dem ein Ausgabesignal
15 bereitstellbar ist;
• mit einer ersten Induktivität, die zwischen dem
Signaleingangspad und dem Signalausgang angeordnet ist,

• mit einer zweiten Induktivität, die zwischen dem
Signalausgang und dem ersten Anschluss angeordnet ist.

20
.2. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach Anspruch 1,
bei der das erste Versorgungspotential ein oberes
Betriebspotential und bei dem das zweite Versorgungspotential ein unteres Betriebspotential ist.
25
3. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach Anspruch 1,
bei der das erste Versorgungspotential ein unteres
Betriebspotential und bei dem das zweite Versorgungspotential ein oberes Betriebspotential ist.
30
4. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei der das Electrostatic-Discharge-Element eine Diode
aufweist.
35.
5. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Electrostatic-Discharge-Element einen Thyristor aufweist .

6. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei der das Electrostatic-Discharge-Element einen
Feldeffekttransistor aufweist.

7. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach Anspruch 6, bei welcher der Feldeffekttransistor ein grounded n-MOS- Feldeffekttransistor ist.

8. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei der das an den Signaleingangspad anlegbare EingangsSignal -ein—HochfxequenzsxgnaJ is.t

9. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
mit einem Hochfrequenz-Verarbeitungsschaltkreis, der an den Signalausgang angeschlossen ist.

10. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 9,
bei dem die erste Induktivität und die zweite Induktivität als gemeinsame Induktivität vorgesehen sind.

11. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach Anspruch 10, bei der die gemeinsame Induktivität eine Spule mit
Mittelabgriff ist, wobei der Mittelabgriff mit dem
Signalausgang gekoppelt ist, ein erster Spulenendabschnitt mit dem Signaleingangspad gekoppelt ist und ein zweiter
Spulenendabschnitt mit dem Electrostatic-Discharge-Element gekoppelt ist.

12. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 11, mit einem ersten Kondensator, der zwischen dem ersten
Anschluss und dem Signaleingangspad angeordnet ist.

13. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 12,.
mit einem zweiten Kondensator, der zwischen dem zweiten Anschluss und dem Signaleingangspad angeordnet ist.

14. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 13,
der als Bandpassfilter für ein an dem Signaleingangspad bereitgestelltes Hochfrequenzsignal eingerichtet ist.

15. Integrierte Schaltkreis-Anordnung- nach einem der
Ansprüche 1 bis 14,
bei der die erste Induktivität und die zweite Induktivität jeweils als integrierte Induktivität eingerichtet sind.

16. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 15,
bei der an dem Signalausgang ein Signalausgangspad
bereitgestellt ist.

17. Integrierte Schaltkreis-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 16,
bei der die erste Induktivität und die zweite Induktivität derart verkoppelt sind, dass eine Koppelinduktivität gebildet ist.

18. Schaltkreis-Array,
• mit einer integrierten Schaltkreis-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 17;
• mit einem mit der integrierten Schaltkreis-Anordnung
gekoppelten NutzSchaltkreis .

19. Schaltkreis-Array nach Anspruch 18,
bei dem der NutzSchaltkreis • einen GSM-Schaltkreis;
• einen UMTS-Schaltkreis;
• einen WLAN-Schaltkreis;
•■ einen DCS-Schaltkreis;
• einen DECT-Schaltkreis;
• einen Bluetooth-Schaltkreis;

• einen UWB-Schaltkreis;
• einen PCS-Schaltkreis; und/oder

• einen RADAR-Schaltkreis aufweist.